CHA7114-99F 是一款專為 X 波段應用設計的單片兩級 GaAs 高功率放大器（HPA），以下是其詳細的技術參數(shù)和應用場景：
### 技術參數(shù)
- **頻率范圍**：8.5 GHz 至 11.5 GHz。
- **增益**：20 dB（標稱值）。
- **飽和輸出功率**：39.8 dBm（約 9.55 W）。
- **1 dB 壓縮點輸出功率**：38-39 dBm（約 6.31-7.94 W）。
- **功率附加效率（PAE）**：36%-42%。
- **偏置條件**：
- 漏極電壓（Vd）：8 V。
- 靜態(tài)電流（Idq）：2 A。
- **芯片尺寸**：4.41 mm × 3.31 mm × 0.07 mm。
- **制造工藝**：采用 0.25 μm GaAs 功率 pHEMT 工藝，包含穿過基板的通孔和空氣橋。
- **工作溫度范圍**：-40°C 至 +80°C。
### 應用場景
- **雷達系統(tǒng)**：可用于高頻雷達發(fā)射前端。
- **衛(wèi)星通信**：適用于 X 波段的衛(wèi)星通信系統(tǒng)。
- **商業(yè)通信**：適用于 8.5-11.5 GHz 頻段的商業(yè)微波通信系統(tǒng)。
### 特點
- **高輸出功率**：在 8.5-11.5 GHz 頻段內提供高達 9.55 W 的飽和輸出功率。
- **高效率**：功率附加效率高達 42%，在高功率放大器中表現(xiàn)出色。
- **高魯棒性**：在失配負載下具有很高的穩(wěn)定性。
- **緊湊設計**：以芯片形式提供，便于集成。
- **簡化組裝**：芯片背面同時為射頻和直流接地，焊盤和背面鍍金，兼容共晶貼片方法和熱壓鍵合工藝。
