芯茂微一級(jí)代理-粵華信科技供應(yīng) LP10R060SD  內(nèi)置MOS同步整流控制芯片
LP10R060SD 為高性能的開關(guān)電源 60V 同步整流產(chǎn)品，兼容多種開關(guān)電源控制系統(tǒng)。LP10R060SD 支持 DCM 和 CCM 多種工作模式。

LP10R060SD 采用專利的整流管開通判定技術(shù)，可以有效的避免因激磁振蕩引起的驅(qū)動(dòng)芯片誤開通。

LP10R060SD 具有極快的關(guān)斷速度，可以大幅度降低在 CCM 工作條件下因關(guān)斷延遲造成的效率損失。

LP10R060SD 采用特有的 VCC 供電技術(shù)，可以保證芯片不會(huì)欠電工作。

另外 LP10R060SD 還集成了 VCC 欠壓保護(hù)，過壓鉗位，以及驅(qū)動(dòng)腳去干擾等技術(shù)。

LP10R060SD 采用 SOP7L 封裝

特點(diǎn)

?開關(guān)電源同步整流應(yīng)用

?內(nèi)置 60V 耐壓功率管

?兼容 DCM 和 CCM 多種工作模式

?專利的整流管開通技術(shù)

?集成 VCC 供電技術(shù)

?芯片供電欠壓保護(hù)

?芯片過壓鉗位

?外圍元器件少

應(yīng)用

?充電器和適配器的同步整流

?反激式控制器

?其他開關(guān)電源控制系統(tǒng)
應(yīng)用信息

LP10R060SD 為高性能的開關(guān)電源 60V 同步整流產(chǎn)品，兼容多種開關(guān)電源控制系統(tǒng)，支持 DCM 和CCM 多種工作模式。LP10R060SD 采用專利的整

流管開通技術(shù)，可以有效的避免因激磁振蕩引起的驅(qū)動(dòng)芯片誤動(dòng)作。LP10R060SD 采用特有的VCC 供電技術(shù)，可以保證在原邊控制系統(tǒng)恒流和

恒壓兩種工作狀態(tài)下，芯片都不會(huì)欠壓工作。

啟動(dòng)

當(dāng)系統(tǒng)上電后，通過內(nèi)置 MOS 的體二極管對(duì)輸出電容充電，輸出電壓上升。LP10R060SD 通過 D腳連接輸出電壓。當(dāng)輸出電壓上升時(shí)，經(jīng)過芯片

內(nèi)部供電電路，給 VCC 電容充電，當(dāng) VCC 的電壓充到開啟閾值電壓時(shí)，芯片內(nèi)部控制電路開始工作，MOS 正常的導(dǎo)通和關(guān)斷。MOS 正常的導(dǎo)通

時(shí)，電流不再從體二極管流過，而從 MOS 的溝道流過。芯片正常工作時(shí)，所需的工作電流仍然通過 D 腳，給 VCC 供電。

同步整流管導(dǎo)通

DCM 工作時(shí)，由于電感的激磁作用，當(dāng)初級(jí)芯片關(guān)斷時(shí)，會(huì)產(chǎn)生振蕩。為了防止誤檢測(cè)振蕩信號(hào)，導(dǎo)致同步整流管的異常開啟， LP10R060SD 采用

專利的整流管開通技術(shù)。

當(dāng)初級(jí)芯片關(guān)斷時(shí)，次級(jí) LP10R060SD 的漏極 D與 GND 之間的電壓迅速下降。 LP10R060SD 通過檢測(cè)D和GND之間的下降電壓閾值和下降速率，

能準(zhǔn)確的判斷同步整流管的開啟。