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深圳市粵華信科技有限公司

粵華信專(zhuān)為客戶(hù)提供高效穩(wěn)定的集成電路產(chǎn)品,以及高性?xún)r(jià)比的應(yīng)用解決方案和技術(shù)服務(wù)。代理分銷(xiāo):芯茂微、上海貝嶺、華眾芯微、晶源微、德普微、啟臣微

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BL9342 SOT23-6 40V600mA DC-DC降壓芯片

型號(hào): BL9342

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

上海貝嶺原廠分銷(xiāo)-粵華信科技供應(yīng) BL9342   SOT23-6   40V600mA  DC-DC降壓芯片
BL9342 是一款高頻(1.8MHz)降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,集成了高端高壓功率 MOSFET。它提供單路高效輸出,最大電流 0.6A,并在電流模式控制下實(shí)現(xiàn)快速環(huán)路響應(yīng)。寬輸入電壓范圍(4.2V 至 40V)可滿(mǎn)足各種降壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,低關(guān)斷電流特性適用于電池供電場(chǎng)景。在輕負(fù)載條件下,通過(guò)降低開(kāi)關(guān)頻率可減少開(kāi)關(guān)和柵極驅(qū)動(dòng)損耗,實(shí)現(xiàn)寬負(fù)載范圍內(nèi)的高效功率轉(zhuǎn)換。頻率折疊技術(shù)有助于防止啟動(dòng)時(shí)電感電流失控,熱關(guān)斷功能則提供可靠的容錯(cuò)操作。
    特性

  • 230μA 工作靜態(tài)電流
  • 4.2V 至 40V 寬工作電壓范圍
  • 500mΩ 內(nèi)部功率 MOSFET
  • 1.8MHz 固定開(kāi)關(guān)頻率
  • 內(nèi)部補(bǔ)償
  • 陶瓷輸出電容穩(wěn)壓
  • 內(nèi)部軟啟動(dòng)
  • 無(wú)需采樣電阻的精密限流
  • 最大效率可達(dá) 90%
  • 低關(guān)斷電流
    應(yīng)用
  • 高壓功率轉(zhuǎn)換
  • 儀器儀表
  • 工業(yè)電源系統(tǒng)
  • 分布式電源系統(tǒng)
  • 電池供電系統(tǒng)
    封裝
  • 引腳 SOT23-6 封裝
     
典型應(yīng)用電路
  1. BST(自舉引腳):內(nèi)部浮置高端 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)正電源端。需在此引腳與 SW 引腳之間連接一個(gè)旁路電容。
  2. GND(接地):接地端應(yīng)盡可能靠近輸出電容連接,以避開(kāi)大電流開(kāi)關(guān)路徑。
  3. FB(反饋):誤差放大器的輸入端。連接至輸出端和地的外部電阻分壓器會(huì)與 + 0.794V 的內(nèi)部基準(zhǔn)電壓比較,以設(shè)定穩(wěn)壓值。
  4. EN(使能輸入):當(dāng)引腳電壓低于指定閾值時(shí),芯片關(guān)斷;高于閾值時(shí),芯片工作。懸空時(shí)芯片關(guān)閉。可連接 100kΩ 電阻至 VIN 以自動(dòng)開(kāi)啟。
  5. VIN(電源輸入):為所有內(nèi)部控制電路(包括開(kāi)關(guān)管)供電。需連接接地去耦電容以降低開(kāi)關(guān)尖峰。
  6. SW(開(kāi)關(guān)引腳):高端開(kāi)關(guān)輸出端。需連接低正向壓降的肖特基二極管至地,以減小開(kāi)關(guān)尖峰。
    脈寬調(diào)制控制
    在中等至較大輸出電流條件下,電路工作在固定頻率和峰值電流控制模式,以調(diào)節(jié)輸出電壓。PWM周期由內(nèi)部時(shí)鐘產(chǎn)生,功率MOSFET一直導(dǎo)通,直到其電流達(dá)到COMP電壓的設(shè)定值。當(dāng)功率管關(guān)斷時(shí),在下一個(gè)周期開(kāi)始前,它將保持關(guān)斷至少100納秒。在一個(gè)PWM周期內(nèi),如果MOSFET管中的電流未達(dá)到COMP設(shè)定的電流值,功率MOSFET將保持導(dǎo)通,從而節(jié)省一次開(kāi)關(guān)操作。
    脈沖跳變模式
    在輕載時(shí),電路進(jìn)入跳脈沖模式以提高輕載效率。跳脈沖的判斷基于其內(nèi)部的COMP電壓。如果COMP引腳電壓低于內(nèi)部休眠閾值,就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)暫停指令,阻止時(shí)鐘脈沖開(kāi)啟,從而使功率MOSFET無(wú)法按指令導(dǎo)通,這樣可以節(jié)省驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)損耗。這個(gè)暫停指令還會(huì)使整個(gè)芯片進(jìn)入休眠模式,并消耗極低的靜態(tài)電流,以進(jìn)一步提高輕載效率。
    當(dāng)比較器(COMP)電壓高于休眠閾值時(shí),暫停信號(hào)復(fù)位,芯片恢復(fù)正常的脈寬調(diào)制(PWM)運(yùn)行。每次暫停指令狀態(tài)從低電平變?yōu)楦唠娖?,?huì)立即產(chǎn)生一個(gè)導(dǎo)通信號(hào)來(lái)開(kāi)啟功率MOSFET。 
    誤差放大器
    誤差放大器由一個(gè)內(nèi)部運(yùn)算放大器以及連接在其輸出端(內(nèi)部COMP節(jié)點(diǎn))與負(fù)輸入端(FB)之間的阻容反饋網(wǎng)絡(luò)組成。當(dāng)FB低于其內(nèi)部參考電壓(REF)時(shí),運(yùn)算放大器會(huì)將COMP驅(qū)動(dòng)至更高電平,從而導(dǎo)致更高的開(kāi)關(guān)峰值電流輸出,進(jìn)而有更多能量傳輸至輸出端,反之亦然。
    通常情況下,反饋引腳(FB)連接到一個(gè)由上拉電阻(RUP)和下拉電阻(RDN)組成的分壓器,其中下拉電阻(RDN)連接反饋引腳(FB)和地,而上拉電阻(RUP)連接電壓輸出節(jié)點(diǎn)和反饋引腳(FB)。同時(shí),上拉電阻(RUP)與內(nèi)部補(bǔ)償RC網(wǎng)絡(luò)共同控制誤差放大器的增益。
    內(nèi)部穩(wěn)壓源
    大多數(shù)內(nèi)部電路由內(nèi)部2.6V穩(wěn)壓器供電。穩(wěn)壓器輸入為VIN,可在整個(gè)\(VIN\)范圍內(nèi)工作。當(dāng)\(VIN\)大于4.0V時(shí),穩(wěn)壓器正常輸出。當(dāng)VIN低于4.0V時(shí),輸出也會(huì)降低。
    使能控制
    該電路有一個(gè)特殊的使能控制端EN。當(dāng)VIN足夠高時(shí),可通過(guò)EN端使能和禁用芯片。高電平有效。下限閾值為1.6V。回差為0.6V。當(dāng)處于暫停狀態(tài)時(shí),EN端內(nèi)部接地,芯片被禁用。當(dāng)EN端被拉至0V時(shí),芯片進(jìn)入最低關(guān)斷電流模式。當(dāng)EN端電壓高于0V但低于其閾值時(shí),芯片仍處于關(guān)斷模式,但關(guān)斷電流會(huì)略有增加。
    欠壓鎖定(UVLO)
    輸入電壓的欠壓鎖定(UVLO)可保護(hù)芯片在電源電壓不足的情況下不工作。
    內(nèi)部軟啟動(dòng)
    采用軟啟動(dòng)來(lái)防止轉(zhuǎn)換器的輸出電壓在啟動(dòng)時(shí)過(guò)沖。芯片啟動(dòng)時(shí),內(nèi)部電路會(huì)產(chǎn)生一個(gè)軟啟動(dòng)電壓(SS),該電壓從0V開(kāi)始,由軟啟動(dòng)時(shí)間設(shè)定且上升速度緩慢。當(dāng)它低于內(nèi)部基準(zhǔn)電壓REF時(shí),SS為主要參考,誤差放大器使用SS而非REF作為參考。當(dāng)SS高于REF時(shí),REF起主導(dǎo)作用。SS也與FB相關(guān)。SS可以遠(yuǎn)低于FB,但只能略高于FB。如果FB意外下降,SS也會(huì)跟蹤FB的下降。此功能旨在應(yīng)對(duì)短路恢復(fù)情況。當(dāng)短路消除后,SS的上升過(guò)程就如同重新啟動(dòng)軟啟動(dòng)過(guò)程,可防止輸出電壓過(guò)沖。 

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