United Monolithic Semiconductors 的 CHA2362-98F 是一款射頻放大器，頻率為 26 至 40 GHz，增益為 22 dB，噪聲系數為 2 dB，P1dB 9 dBm，P1dB 0.007 W。標簽：表面貼裝，低噪聲放大器。有關 CHA2362-98F 的更多詳細信息，請參見下文。
新型超低噪聲放大器 CHA2362-98F
CHA2362-98F 是一款 26-40GHz 寬帶低噪聲放大器，具有 2dB 的極低噪聲系數和集成的 3 級放大器。
它的 P-1dB 為 9dBm，回波損耗小于 13dB。
該產品采用內部 GaAs 0.1μm 柵極長度 pHEMT 工藝設計。
它適用于從軍事到商業(yè)通信系統(tǒng)的廣泛應用。
主要特點：
- 射頻帶寬：26-40GHz
- 噪聲系數：2dB
- 線性增益：22dB
- P-1dB：9dBm
- OIP3：21分貝
- 回波損耗：<13dB
- 直流偏置：4V @ 65mA
產品規(guī)格
產品詳情
零件號
CHA2362-98F
制造商
聯合單片半導體
描述
用于 5G 應用的 26 至 40 GHz 的 GaAs 低噪聲單片放大器
一般參數
類型
低噪聲放大器
配置
IC/MMIC/SMT
支持的標準
5G
行業(yè)應用
軍事、商業(yè)、蜂窩
頻率
26 至 40 GHz
獲得
22分貝
噪聲系數
2分貝
P1dB
9分貝
P1dB
0.007 瓦
年級
商業(yè)的
IP3
21分貝
IP3
0.12 瓦
輸入功率
15分貝
輸入功率
0.03 瓦
脈沖/CW
連續(xù)波
回波損耗
13分貝
輸入回波損耗
13分貝
輸出回波損耗
13分貝
電源電壓
4伏
目前的消費
65毫安
晶體管技術
pHEMT
技術
砷化鎵
包裝類型
表面貼裝
包裹
QFN
方面
3 x 1.68 x 0.07 毫米
貯存溫度
-55 至 150 攝氏度
RoHS
是的
CHA4220-QGG
CHA3024-QGG
CHA3024-99F
CHA5659-QXG
CHA3666-FAA
CHA4220-98F
CHA6356-QXG
CHA6252-QFG
CHA6558-99F
CHA5356-QGG
CHA6005-99F
CHA6005-QEG
CHA6362-QXG
CHA6552-QJG
CHA8012-99F
CHA3513-99F
CHA6250-QFG
CHA3514-99F
CHA3512-99F
CHA3511-99F
CHA6015-99F
CHA5012-99F
CHA3092-99F
CHA3218-99F
CHA7012-99F
CHA2494-98F
CHA2395-99F
CHA2494-QEG
CHA1077a98F
CHA2391-99F
CHA2411-QDG
CHA4105-QDG
CHA2095a99F
CHA5014-99F
CHA3689-99F
CHA4863-QGG
CHA3664-QAG
CHA2069-99F
CHA5115-QDG
CHA3023-99F
CHA2159-99F
CHA7215-99F
CHA2093-99F
CHA2194-99F
