CHA8352-99F 用于 Ku 下行衛(wèi)星通信的平衡 GaN HPA。
CHA8352-99F 是一款 20W 輸出功率 GaN 高功率放大器。
該電路在 10.7-12.75GHz 頻段具有超過 42% 的出色 PAE。
它具有 25dB 的線性增益，在 20V 時具有 0.5A 的低功耗和顯著的回波損耗。
CHA8352-99F非常適合空間應用，還涵蓋了廣泛的微波應用和系統(tǒng)。
該電路采用 UMS 專有的 0.15μm 柵極長度 GaN HEMT 工藝設計。它以裸片形式提供。
主要特點：
- 頻率范圍：10.7-12.75GHz
- 線性增益：25dB
- Pout : 43dBm Pout @ 23dBm Pin
- PAE：所有頻率 >42%
- RL：>17dB
- 直流偏置：0.5A @ 20V
- 芯片尺寸：5.3 x 3.5 x 0.07mm
United Monolithic Semiconductor 的 CHA8352-99F 是一款工作頻率為 10.7 至 12.75 GHz 的功率放大器。它的輸出功率為 20 W，線性增益為 25 dB，PAE 超過 42%。該放大器采用專有的 UMS 0.15μm 柵極長度 GaN HEMT 工藝設計。它需要 20 V 的直流電源并消耗 0.5 A 的電流。該放大器以裸片形式提供，尺寸為 5.30 x 3.50 x 0.07 mm，適用于 SATCOM 和太空應用。
產品規(guī)格
產品詳情
零件號
CHA8352-99F
制造商
聯合單片半導體
描述
10.7 至 12.75 GHz 的 20 W GaN 功率放大器
一般參數
類型
功率放大器
配置
IC/MMIC/SMT
支持的標準
古樂隊
行業(yè)應用
衛(wèi)星通信
頻率
10.7 至 12.75 GHz
獲得
25分貝
輸出功率
43分貝
輸出功率
20 瓦
年級
商業(yè)、太空
PAE
42 %
子類別
氮化鎵放大器
回波損耗
17分貝
電源電壓
20 伏
目前的消費
0.5A
晶體管技術
氮化鎵 HEMT
包裝類型
表面貼裝
方面
5.3 x 3.5 x 0.07 毫米
CHA4220-QGG
CHA3024-QGG
CHA3024-99F
CHA5659-QXG
CHA3666-FAA
CHA4220-98F
CHA6356-QXG
CHA6252-QFG
CHA6558-99F
CHA5356-QGG
CHA6005-99F
CHA6005-QEG
CHA6362-QXG
CHA6552-QJG
CHA8012-99F
CHA3513-99F
CHA6250-QFG
CHA3514-99F
CHA3512-99F
CHA3511-99F
CHA6015-99F
CHA5012-99F
CHA3092-99F
CHA3218-99F
CHA7012-99F
CHA2494-98F
CHA2395-99F
CHA2494-QEG
CHA1077a98F
CHA2391-99F
CHA2411-QDG
CHA4105-QDG
CHA2095a99F
CHA5014-99F
CHA3689-99F
CHA4863-QGG
CHA3664-QAG
CHA2069-99F
CHA5115-QDG
CHA3023-99F
CHA2159-99F
CHA7215-99F
CHA2093-99F
CHA2194-99F
