MA4AGSW2
AlGaAs 反射式
MA4AGSW2 是一種鋁-鎵-砷、單刀雙擲 (SPDT)、PIN 二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強型 AlGaAs 陽極，采用 MACOM 的專利異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。與傳統(tǒng) GaAs 工藝相比，該技術(shù)產(chǎn)生的開關(guān)損耗更少。在 50GHz 時可實現(xiàn)多達 0.3 dB 的插入損耗降低。這些器件是在 OMCVD 外延晶片上制造的，采用的工藝旨在實現(xiàn)高器件均勻性和極低的寄生效應。二極管本身具有低串聯(lián)電阻、低電容和快速開關(guān)速度。它們用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚合物層以保護劃痕。保護涂層可防止在處理和組裝過程中損壞二極管結(jié)和陽極空氣橋。需要片外偏置電路。AlGaAs 的高電子遷移率和 PIN 二極管的低電容使該開關(guān)成為快速開關(guān)、高頻、多擲開關(guān)設(shè)計的理想選擇。這些 AlGaAs PIN 開關(guān)用于雷達系統(tǒng)、輻射計、測試設(shè)備和其他多組件組件的開關(guān)陣列。
AlGaAs 反射式
MA4AGSW2 是一種鋁-鎵-砷、單刀雙擲 (SPDT)、PIN 二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強型 AlGaAs 陽極，采用 MACOM 的專利異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。與傳統(tǒng) GaAs 工藝相比，該技術(shù)產(chǎn)生的開關(guān)損耗更少。在 50GHz 時可實現(xiàn)多達 0.3 dB 的插入損耗降低。這些器件是在 OMCVD 外延晶片上制造的，采用的工藝旨在實現(xiàn)高器件均勻性和極低的寄生效應。二極管本身具有低串聯(lián)電阻、低電容和快速開關(guān)速度。它們用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚合物層以保護劃痕。保護涂層可防止在處理和組裝過程中損壞二極管結(jié)和陽極空氣橋。需要片外偏置電路。AlGaAs 的高電子遷移率和 PIN 二極管的低電容使該開關(guān)成為快速開關(guān)、高頻、多擲開關(guān)設(shè)計的理想選擇。這些 AlGaAs PIN 開關(guān)用于雷達系統(tǒng)、輻射計、測試設(shè)備和其他多組件組件的開關(guān)陣列。
特征
- 超寬帶寬：50 MHz 至 50 GHz
- 符合 RoHS*
- 低電流消耗：-10mA 用于低損耗狀態(tài)，+10mA 用于隔離狀態(tài)
- 50 GHz 時 33 dB 隔離
- 0.7分貝插入損耗
- 功能帶寬：50 MHz 至 70 GHz
- 聚合物劃痕保護
- 氮化硅鈍化
- MACOM 獨特的 AlGaAs 異質(zhì)結(jié)陽極技術(shù)
- 260°C 回流兼容
作者：尤冬營
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來源：知乎
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