CNW82、CNW83、CNW84和CNW85光耦合器由GaAs紅外發(fā)射二極管組成，該二極管與NPN光電晶體管光學(xué)耦合。CNW82和CNW84沒(méi)有連接基腳以提高抗擾度。
功能特征
1、 寬體DIL封裝，引腳距離為10.16 mm。
2、 2最小爬電距離10 mm。
3、 高電流傳輸比和低飽和電壓，使該器件適用于TTL集成電路。
4、 高度交流和直流絕緣（5900 V（RMS）和8340 V（DC））。
5、 最小外部間隙為9.6 mm，最小外部爬電距離為10 mm。
6、 集電極-發(fā)射極擊穿電壓：50 V（僅CNW82/83）。
7、 UL認(rèn)可（文件號(hào)E90700）
