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HMC349AMS8G是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(PHEMT)、單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)，額定頻率范圍為100 MHz至 4 GHz。
HMC349AMS8G非常適合蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，可實(shí)現(xiàn)57 dB高隔離、0.9 dB低插入損耗、52 dBm高輸入IP3和34 dBm高輸入P1dB。
HMC349AMS8G采用3 V至5 V單正電源供電，提供CMOS/TTL兼容控制接口。
HMC349AMS8G采用帶exposed pad的8引腳超小型封裝。
應(yīng)用
- 蜂窩/4G基礎(chǔ)設(shè)施
- 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施
- 移動(dòng)無(wú)線電
- 測(cè)試設(shè)備
- 非反射式50 ?設(shè)計(jì)
- 高隔離度：57 dB至2 GHz
- 低插入損耗：0.9 dB至2 GHz
- 高輸入線性度
- 1 dB功率壓縮(P1dB)：34 dBm（典型值）
- 三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)：52 dBm（典型值）
- 高功率處理
- 33.5 dBm（通過(guò)路徑）
- 26.5 dBm端接路徑 單正電源：3 V至5 V
- CMOS/TTL兼容控制
- 全部關(guān)斷狀態(tài)控制
- 帶exposed pad的8引腳超小型封裝(MINI_SO_EP)
ADRF5345NEW
ADRF5424NEW
ADRF5141NEW
ADRF5301NEW
ADH347SNEW
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