--- 產品參數 ---
- 增益 7 GHz到16 GHz范圍內為24 dB
- OIP3 7 GHz到16 GHz時為29 dBm
- 噪聲指數 7 GHz到16 GHz范圍內為1.3 dB
--- 產品詳情 ---
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ADL8107是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波IC (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶、高線性度放大器,工作頻率范圍為6 GHz至18 GHz。
ADL8107在7 GHz至16 GHz范圍內提供24 dB的典型增益,在7 GHz至16 Ghz范圍內的典型噪聲系數為1.3 dB,在7 GHz至16 GHz范圍內具有1 dB壓縮(OP1dB),典型輸出功率為18.5 dBm,在7 GHz至16 GHz范圍內的典型輸出三階交調點(OIP3)為29 dBm,采用5 V漏電源供電功耗僅90 mA。此款低噪聲放大器在7 GHz至16 GHz范圍內的輸出二階交調點(OIP2)為30.5 dBm(典型值),使ADL8107適合軍事和測試儀器儀表應用。
ADL8107還具有內部匹配50 Ω的輸入和輸出。RFIN和RFOUT引腳均內部交流耦合,同時集成了偏置電感,使ADL8107非常適合基于表貼技術(SMT)的高密度應用。
ADL8107采用符合RoHS標準的2 mm × 2 mm 8引腳LFCSP封裝。
應用
- 測試儀器儀表
- 軍事通信
- 雷達
- 單一正電源(自偏置)
- 增益:7 GHz到16 GHz范圍內為24 dB(典型值)
- OIP3:7 GHz到16 GHz時為29 dBm(典型值)
- 噪聲指數:7 GHz到16 GHz范圍內為1.3 dB(典型值)
- 8引腳2mm x 2mm LFCSP(參見數據手冊的“外形尺寸“章節(jié))
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