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HMC8412 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器，工作范圍為 0.4 GHz 至 11 GHz。

HMC8412 提供 15.5 dB 的典型增益、1.4 dB 的典型噪聲指數(shù)和 ≤33 dBm 的典型輸出三階交調(diào)點(diǎn) (OIP3)，只需要來自 5 V 漏極電源電壓的 60 mA 的電流?！?20.5 dBm 的典型飽和輸出功率 (PSAT) 可以使低噪聲放大器 (LNA) 用作 ADI公司眾多平衡式同相和正交 (I/Q) 或鏡像抑制混頻器的本地振蕩器 (LO) 驅(qū)動器。

HMC8412 還具有可在內(nèi)部匹配至 50 ? 的輸入和輸出，使得該套件非常適合基于表面貼裝技術(shù) (SMT) 的高容量微波射頻應(yīng)用。

HMC8412 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引腳 LFCSP 封裝。

應(yīng)用

• 測試儀器儀表
• 電信
• 軍用雷達(dá)與通信電子戰(zhàn)
• 航空航天
• 低噪聲系數(shù)：1.4 dB（典型值）
• 單正電源（自偏置）
• 高增益：≤15.5 dB（典型值）
• 高OIP3：≤33 dBm（典型值）
• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的2 mm x 2 mm、6引腳LFCSP封裝

HMC8412TCPZ-EP支持防務(wù)和航空航天應(yīng)用（AQEC標(biāo)準(zhǔn)）
 

• 軍用溫度范圍（?55℃至+125℃）
• 受控制造基線
• 唯一封裝/測試廠
• 唯一制造廠
• 產(chǎn)品變更通知
• 認(rèn)證數(shù)據(jù)可應(yīng)要求提供
• V62/21602 DSCC圖紙?zhí)?/li>

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