2MHz、35μV 失調(diào)電壓、8nV/√Hz 噪聲、350μA 功耗、精密（增益引腳 2、3）儀表放大器
| Number of channels (#) | 1 |
| Vs (Max) (V) | 36 |
| Vs (Min) (V) | 4.5 |
| Input offset (+/-) (Max) (uV) | 35 |
| Gain (Min) (V/V) | 1 |
| Gain (Max) (V/V) | 10000 |
| Noise at 1 kHz (Typ) (nV/rt (Hz)) | 8 |
| Features | Super-beta, Small Size, Overvoltage Protection |
| CMRR (Min) (dB) | 110 |
| Input offset drift (+/-) (Max) (uV/C) | 0.4 |
| Input bias current (+/-) (Max) (nA) | 0.5 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.35 |
| Bandwidth at min gain (Typ) (MHz) | 2 |
| Gain error (+/-) (Max) (%) | 0.15 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Type | Resistor |
| Output swing headroom (to negative supply) (Typ) (V) | 0.15 |
| Output swing headroom (to positive supply) (Typ) (V) | -0.15 |
| Input common mode headroom (to negative supply) (Typ) (V) | 2 |
| Input common mode headroom (to positive supply) (Typ) (V) | -2 |
| Noise at 0.1 Hz-10 Hz (Typ) (uVpp) | 0.19 |
| Gain non-linearity (+/-) (Max) (%) | 0.0015 |
- 低失調(diào)電壓：10 μV（典型值），35 μV（最大值）
- 增益漂移：5 ppm/°C (G = 1)、 35 ppm/°C (G > 1)（最大值）
- 噪聲：8 nV/√Hz
- 帶寬：2 MHz (G = 1)、270 kHz (G = 100)
- 在 1 nF 容性負載下保持穩(wěn)定
- 輸入保護電壓高達 ±60V
- 共模抑制：110 dB，G = 10（最小值）
- 電源抑制：110 dB，G = 1（最小值）
- 電源電流：385 μA（最大值）
- 電源電壓范圍：
- 單電源：4.5V 至 36V
- 雙電源：±2.25V 至 ±18V
- 額定溫度范圍：–40°C 至 +125°C
- 封裝：8 引腳 SOIC、VSSOP、WSON
INA819 是一款高精度儀表放大器，可提供低功耗并且可在極寬的單電源或雙電源電壓范圍內(nèi)工作。可通過單個外部電阻器在 1 到 10,000 范圍內(nèi)設(shè)置任意增益。由于采用超 β 輸入晶體管（這些晶體管可提供極低的輸入失調(diào)電壓、失調(diào)電壓漂移、輸入偏置電流、輸入電壓和電流噪聲），該器件可提供出色的精度。附加電路可以為輸入提供高達 ±60V 的過壓保護。
INA819 經(jīng)過優(yōu)化，可提供較高的共模抑制比。當 G = 1 時，整個輸入共模范圍內(nèi)的共模抑制比超過 90 dB。根據(jù)設(shè)計，此器件在低電壓下運行，由 4.5V 單電源和高達 ±18V 的雙電源供電。
INA819 采用 8 引腳 SOIC、VSSOP 和 WSON 封裝，并且額定工作溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。
