--- 產(chǎn)品詳情 ---
適用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 UVLO(以 GND 為基準)的汽車類 5kVrms、17A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器
Number of channels (#) | 1 |
Isolation rating (Vrms) | 5000 |
Power switch | IGBT, SiCFET |
Peak output current (A) | 17 |
DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) | 7000 |
DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) | 2121 |
Output VCC/VDD (Max) (V) | 33 |
Output VCC/VDD (Min) (V) | 13.2 |
Input VCC (Min) (V) | 3 |
Input VCC (Max) (V) | 15 |
Prop delay (ns) | 65 |
Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
Undervoltage lockout (Typ) | 12 |
- 5kVRMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動器
- 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
- 溫度等級 1
- HBM ESD 分類等級 H2
- CDM ESD 分類等級 C6
- 以 GND2 為基準的 12V UVLO
- 8 引腳 DWV(8.5mm 爬電)封裝
- 60ns(典型)傳播延遲
- 較小的部件間傳播延遲偏移
- 100V/ns 最小 CMTI
- 10A 最小峰值電流
- 3V 至 15V 輸入電源電壓
- 驅(qū)動器電源電壓高達 33V
- 輸入引腳具有負 5V 電壓處理能力
- 安全相關認證:
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 標準的 7000VPK 隔離 (DWV)(計劃)
- 5000VRMS (DWV) 隔離等級長達 1 分鐘(符合 UL 1577 標準)
- 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 認證
- CMOS 輸入
- 工作結(jié)溫范圍:–40°C 至 +150°C
UCC5390-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動器,具有 10A 峰值拉電流和 10A 峰值灌電流旨在驅(qū)動 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 為基準,從而有利于使用雙極電源并優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關行為和穩(wěn)健性。
UCC5390-Q1 采用 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封裝,可支持高達 5kVRMS 的隔離電壓。輸入側(cè)通過 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)相隔離,隔離層壽命超過 40 年。憑借高驅(qū)動強度和真正的 UVLO 檢測,該器件非常適用于在車載充電器和牽引逆變器等 應用 中驅(qū)動 IGBT 和 SiC MOSFET。
與光耦合器相比,UCC5390-Q1 的部件間偏移更低,傳播延遲更小,工作溫度更高,并且 CMTI 更高。
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