具有超低靜態(tài)電流的 3V 至 22V、12A 同步降壓轉(zhuǎn)換器
| Vin (Min) (V) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 22 |
| Vout (Min) (V) | 0.6 |
| Vout (Max) (V) | 2 |
| Iout (Max) (A) | 12 |
| Iq (Typ) (uA) | 100 |
| Switching frequency (Min) (kHz) | 400 |
| Switching frequency (Max) (kHz) | 800 |
| Features | Enable, Light Load Efficiency, Output Discharge, Power Good, Synchronous Rectification, Soft Start Adjustable |
| Rating | Catalog |
| Regulated outputs (#) | 1 |
| Control mode | D-CAP2 |
| Duty cycle (Max) (%) | 87 |
- 輸入電壓范圍：3V 至 22V
- 輸出電壓范圍：0.6V 至 2V
- 12A 集成 FET 轉(zhuǎn)換器
- 最少的外部組件數(shù)量
- ULQ?-100 模式運行以實現(xiàn)系統(tǒng)待機期間的長電池使用壽命
- 軟啟動時間可由外部電容器設(shè)定
- 開關(guān)頻率：400kHz 和 800kHz
- D-CAP2? 架構(gòu)以實現(xiàn)高分子有機半導體固體電容器 (POSCAP) 和所有多層陶瓷電容 (MLCC) 輸出電容器的使用
- 用于精確過流限制 (OCL) 保護的集成且支持溫度補償?shù)牡蛡?cè)導通電阻感測
- 電源良好輸出 OCL，過壓保護 (OVP)，欠壓保護 (UVP) 和欠壓閉鎖 (UVLO) 保護
- 熱關(guān)斷（非鎖存）
- 輸出放電功能
- 集成升壓金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 開關(guān)
- 焊球間距 0.4mm，高度 1mm 的 28 引腳，3.5mm x 4.5mm，RVE，四方扁平無引線 (QFN) 封裝
TPS51367 是一款高壓輸入、同步轉(zhuǎn)換器，此轉(zhuǎn)換器帶有集成的 FET，它基于 DCAP-2 控制拓撲結(jié)構(gòu)，從而實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應并支持 POSCAP 和所有 MLCC 輸出電容器。 與 TI 領(lǐng)先的封裝技術(shù)組合在一起，TI 專有的 FET 技術(shù)為諸如 VCCIO 和 VDDQ 等用于 DDR 筆記本內(nèi)存的單輸出電源軌或者廣泛應用中的任何負載點 (POL) 提供最高密度的解決方案。
TPS51367 的主要特性是其 ULQ?-100 模式以實現(xiàn)低偏置電流（低功率模式下為 100μA，由 LP# 啟用）。 這個特性對于延長系統(tǒng)待機模式中的電池使用壽命非常有幫助。
此特性集包括 800kHz 的開關(guān)頻率。 可由一個外部電容器設(shè)定的軟啟動時間。自動跳躍、預偏置啟動、集成引導加載開關(guān)、電源良好、使能和一整套的故障保護機制，其中包括 OCL，UVP，OVP 5V UVLO 和熱關(guān)斷。
它采用 3.5mm x 4.5mm，焊球間距 0.4mm，28 引腳 QFN (RVE) 封裝，額定運行溫度范圍為 -10°C 至 85°C。
