增強(qiáng)型產(chǎn)品 DDR1、DDR2、DDR3 轉(zhuǎn)換開關(guān)和 LDO
| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 |
| Control mode | Current Mode, D-CAP, S4/S5 |
| Iout VDDQ (Max) (A) | 25 |
| Iout VTT (Max) (A) | 3 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.8 |
| Output | VDDQ, VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 28 |
| Features | Complete Solution, Shutdown Pin for S3 |
| Rating | HiRel Enhanced Product |
- 同步降壓控制器 (VDDQ)
- 寬輸入電壓范圍: 3.0V 至 28V
- 負(fù)載階躍響應(yīng)為 100ns 的 D?CAP? 模式
- 電流模式選項(xiàng)支持陶瓷輸出電容器
- 支持 S4/S5 狀態(tài)內(nèi)的軟關(guān)閉
- RDS（接通）或電阻器的電流感測
- 2.5V (DDR)，1.8V (DDR2)，可調(diào)節(jié)至
1.5V (DDR3) 或 1.2V (LPDDR3) 或
0.75V 至 3.0V 的輸出電壓范圍 - 配備有電源正常、過壓保護(hù)和欠壓保護(hù)
- 1A LDO (VTT)，經(jīng)緩沖基準(zhǔn) (VREF)
- 灌電流和拉電流的能力達(dá)到 1A
- 提供 LDO 輸入以優(yōu)化功率損耗
- 只需 20μF 陶瓷輸出電容器
- 經(jīng)緩沖的低噪聲 10mA VREF 輸出
- 針對 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
- 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持軟關(guān)閉
- 過熱保護(hù)
TPS51116 為 DDR/SSTL-2，DDR2/SSTL-18，DDR3/SSTL-15 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)提供一個完整的電源。 它集成了一個具有 1A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和經(jīng)緩沖低噪聲基準(zhǔn)的同步降壓控制器。 TPS51116 在空間非常寶貴的系統(tǒng)中提供最低的總體解決方案成本。 TPS51116 同步控制器運(yùn)行具有自適應(yīng)接通時間控制的定頻 400kHz，偽恒定頻率脈寬調(diào)制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 模式中進(jìn)行配置，此模式可簡化使用并實(shí)現(xiàn)最快瞬態(tài)響應(yīng)或者在電流模式中支持陶瓷輸出電容器。 1A 灌電流/拉電流 LDO 只需 20μF (2 × 10μF) 陶瓷輸出電容器即可保持快速瞬態(tài)響應(yīng)。 此外，LDO 電源輸入是外部可用的，這樣可大大減少總體功耗。 TPS51116 支持所有睡眠狀態(tài)控制，此類控制在 S3（掛起到 RAM）中將 VTT 置于 high-Z 狀態(tài)并且在 S4/S5（掛起到硬盤）中將 VDDQ，VTT 和 VTTREF（軟關(guān)閉）放電。 TPS51116 具有所有保護(hù)特性，其中包括熱關(guān)斷并采用 20 引腳散熱薄型小外形尺寸 (HTSSOP) PowerPAD 封裝。
