適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可編程死區(qū)時間的 1.5A、3A 200V 半橋柵極驅(qū)動器
| Bus voltage (Max) (V) | 300 |
| Power switch | MOSFET, GaNFET |
| Input VCC (Min) (V) | 6 |
| Input VCC (Max) (V) | 18 |
| Peak output current (A) | 3 |
| Rise time (ns) | 0.5 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 4 |
| Rating | Catalog |
| Number of channels (#) | 2 |
| Fall time (ns) | 0.5 |
| Prop delay (ns) | 10 |
| Iq (uA) | 300 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL/PWM |
| Features | Resistor-controllable deadtime, Internal LDO, Bootstrap supply voltage clamp |
| Driver configuration | Half Bridge |
LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 驅(qū)動器，專為要求超高頻率、高效率的 應(yīng)用 而開發(fā)， 具有 可調(diào)節(jié)死區(qū)時間功能、極短的傳播延遲以及 3.4ns 高側(cè)/低側(cè)匹配，以優(yōu)化系統(tǒng)效率。此部件還 具備 一個內(nèi)部 LDO，可確保 5V 的柵極驅(qū)動器電壓（而與電源電壓無關(guān)）。
為了在各種應(yīng)用中獲得 最佳性能，LMG1210 允許設(shè)計人員選擇最佳的自舉二極管對高側(cè)自舉電容器充電。當?shù)蛡?cè)不導(dǎo)通時，內(nèi)部開關(guān)會關(guān)閉自舉二極管，以有效防止高側(cè)自舉過度充電，并將反向恢復(fù)電荷降至最低。GaN FET 上額外的寄生電容被最小化至小于 1pF，以減少額外的開關(guān)損耗。
該 LMG1210 具有 兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入獨立控制。在 PWM 模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產(chǎn)生，用戶可將每個沿的死區(qū)時間從 0ns 調(diào)節(jié)為 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的寬溫度范圍內(nèi)運行，并采用低電感 WQFN 封裝。
