--- 產(chǎn)品詳情 ---
抗輻射、1.6V 至 5.5V 輸入、1.25A 負(fù)載開關(guān)
Number of channels (#) | 1 |
Vin (Min) (V) | 1.6 |
Vin (Max) (V) | 5.5 |
Imax (A) | 1.25 |
Ron (Typ) (mOhm) | 90 |
Shutdown current (ISD) (Typ) (uA) | 0.002 |
Quiescent current (Iq) (Typ) (uA) | 8 |
Soft start | Fixed Rise Time |
Rise time (Typ) (us) | 1280 |
Current limit type | Fixed |
Features | Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown |
Operating temperature range (C) | -55 to 125 |
- 提供供應(yīng)商項(xiàng)目圖,VID V62/22609
- 電離輻射總劑量 (TID) 為 30krad(Si)
- 每個晶圓批次的 TID RLAT(輻射批次驗(yàn)收測試):20krad (Si)
- 確定了單粒子效應(yīng) (SEE)
- 單粒子閂鎖 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子?xùn)糯?(SEGR) 對于有效線性能量傳遞 (LETEFF) 的抗擾度為 43MeV–cm2/mg。
- 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 對于 LETEFF 的額定抗擾度為 43MeV–cm2/mg。
- 輸入電壓范圍 (VIN):1.6 至 5.5V
- 建議持續(xù)電流 (IMAX):1.25A
- 導(dǎo)通電阻 (RON)
- VIN = 5V 時典型值為 116m?
- VIN = 3.3V 時典型值為 115m?
- VIN = 1.8V 時典型值為 133m?
- 輸出短路保護(hù) (ISC):3A(典型值)
- 低功耗:
- 導(dǎo)通狀態(tài) (IQ):8.3μA(典型值)
- 關(guān)閉狀態(tài) (ISD):3nA(典型值)
- 可限制浪涌電流的慢速導(dǎo)通時序 (tON):
- 5V 時的 tON:3.61mV/μs 下為 1.68ms
- 3.3V 時的 tON:2.91mV/μs 下為 1.51ms
- 1.8V 時的 tON:2.15mV/μs 下為 1.32ms
- 可調(diào)節(jié)輸出放電和下降時間:
- VIN = 3.3V 時內(nèi)部 QOD 電阻= 9.2Ω(典型值)
- 增強(qiáng)型航天塑料 (SEP)
- 受控基線
- 金鍵合線
- NiPdAu 鉛涂層
- 一個組裝和測試基地
- 一個制造基地
- 軍用級(-55°C 到 125°C)溫度范圍
- 延長了產(chǎn)品生命周期
- 延長了產(chǎn)品變更通知 (PCN)
- 產(chǎn)品可追溯性
- 采用增強(qiáng)型塑封實(shí)現(xiàn)低釋氣
TPS7H2221-SEP 器件是一款壓擺率可控的小型單通道負(fù)載開關(guān)。此器件包含一個可在 1.6V 至 5.5V 輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的 N 溝道 MOSFET,并且支持 1.25A 的最大持續(xù)電流。
開關(guān)導(dǎo)通狀態(tài)由數(shù)字輸入控制,此輸入可與低壓控制信號直接連接。首次加電時,此器件使用智能下拉電阻來保持 ON 引腳不懸空,直到系統(tǒng)定序完成。按計(jì)劃將該引腳驅(qū)動為高電平 (VON>VIH) 之后,便會斷開智能下拉電阻,以防止不必要的功率損耗。
TPS7H2221-SEP 負(fù)載開關(guān)也具有自保護(hù)特性,因此可保護(hù)自己免受輸出短路事件的影響。
TPS7H2221-SEP 采用標(biāo)準(zhǔn) SC-70 封裝,工作環(huán)境溫度范圍為 -55°C 至 125°C。
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