具有 200kHz 有源整流和負(fù)載突降保護(hù)功能的汽車類低 IQ 理想二極管控制器
| Vin (Min) (V) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 65 |
| Number of channels (#) | 1 |
| Features | Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
| Iq (Typ) (mA) | 0.032 |
| Iq (Max) (mA) | 0.038 |
| FET | External single FET, External back-to-back FET |
| IGate sink (Typ) (mA) | 2.1 |
| IGate pulsed (Typ) (A) | 2.1 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| VSense reverse (Typ) (mV) | -6.5 |
| Design support | EVM |
| Rating | Automotive |
| VGS (Max) (V) | 13 |
- 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性
- 器件溫度等級(jí) 1： –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 2
- 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B
- 3V 至 65V 輸入范圍
- 反向輸入保護(hù)低至 –65V
- 低靜態(tài)電流：運(yùn)行時(shí) 35μA（最大值）
- 3.3μA（最大值）低關(guān)斷電流（EN = 低電平）
- 13mV 陽極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)下，理想二極管正常運(yùn)行
- 驅(qū)動(dòng)外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET
- 集成型 30mA 升壓穩(wěn)壓器
- 高達(dá) 200 kHz 的有源整流
- 快速響應(yīng)反向電流阻斷：0.5μs
- 快速正向 GATE 導(dǎo)通延遲：0.72μs
- 可調(diào)節(jié)過壓保護(hù)
- 采用合適的 TVS 二極管，符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
- 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝
LM74722-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET，從而模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (GATE) 可驅(qū)動(dòng)第一個(gè) MOSFET 來代替肖特基二極管，實(shí)現(xiàn)反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持功能。具有快速導(dǎo)通和關(guān)斷比較器的強(qiáng)大升壓穩(wěn)壓器可確保在汽車測(cè)試（如 ISO16750 或 LV124）期間實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健、高效的 MOSFET 開關(guān)性能，期間 ECU 會(huì)收到輸入短時(shí)中斷以及頻率高達(dá) 200kHz 的交流疊加輸入信號(hào)。運(yùn)行期間的低靜態(tài)電流 35μA（最大值）可實(shí)現(xiàn)常開型系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在電源路徑中使用了第二個(gè) MOSFET 的情況下，該器件允許使用 EN 引腳實(shí)現(xiàn)負(fù)載斷開控制。在 EN 處于低電平時(shí)，靜態(tài)電流降至 3.3μA（最大值）。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓切斷保護(hù)或使用 OV 引腳的過壓鉗位保護(hù)。
