--- 產品詳情 ---
具有 2mA 雪崩額定值的汽車類 1200V、50mA 隔離開關
Isolation rating (Vrms) | 3750 |
FET | Internal |
Number of channels (#) | 1 |
Supply voltage (Min) (V) | 4.5 |
Supply voltage (Max) (V) | 20 |
Load voltage (V) | 1200 |
Imax (A) | 0.05 |
Features | 2-mA avalanche current, Capacitive isolation, Thermal avalanche protection (TAP) |
Turn on time (enable) (ns) | 70000 |
Turn off time (disable) (ns) | 100000 |
OFF-state leakage current (μA) | 3.5 |
Rating | Automotive |
TPSI2140-Q1 是一款 隔離式固態(tài)繼電器,專為高電壓汽車和工業(yè)應用而設計。 TPSI2140-Q1 與 TI 具有高可靠性的電容隔離技術和內部背對背 MOSFET 整合在一起,形成了一款完全集成式解決方案,無需次級側電源。
該器件的整個初級側僅需 7.5mA 的輸入電流,支持用戶從單個微控制器 GPIO 驅動 VDD 和 EN 引腳,無需光繼電器解決方案中的外部低側開關。此外,用戶還可以選擇將 VDD 引腳連接到 5V 至 20V 的系統(tǒng)電源并從 GPIO 驅動 EN 引腳。EN 引腳處于失效防護狀態(tài),防止 VDD 電源發(fā)生反向供電。
次級側都包含背對背 MOSFET,從 S1 至 S2 的關斷電壓為 ±1.4kV。 TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩穩(wěn)健性和熱敏感封裝設計使其可以通過系統(tǒng)級高壓 (HiPot) 篩選,并且無需任何外部元件即可承受高達 2mA 的直流快速充電器浪涌電流。 TPSI2140T-Q1 器件版本具有 TI 的熱雪崩保護 (TAP) 功能,可支持高達 5mA 的雪崩電流。
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