具有集成式 FET 的汽車類 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二極管
| Vin (Min) (V) | 1.5 |
| Vin (Max) (V) | 5.5 |
| Number of channels (#) | 1 |
| Features | Enable, Gate ON/OFF control, Power good signal, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
| Iq (Typ) (mA) | 0.00015 |
| Iq (Max) (mA) | 0.0003 |
| FET | Integrated single FET |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| VSense reverse (Typ) (mV) | 46 |
| Design support | EVM |
| Rating | Automotive |
- 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)：
- 器件溫度等級 1：-40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 寬工作電壓范圍：1.5V 至 5.5V
- VIN 反向關(guān)斷電壓： 絕對最大值為 –6V
- 最大持續(xù)電流 (IMAX)：1.5A
- 導(dǎo)通電阻 (RON)：
- 5V VIN = 79mΩ（典型值）
- 3.6V VIN = 91mΩ（典型值）
- 1.8V VIN = 141mΩ（典型值）
- 啟用比較器芯片 (CE)
- 通道狀態(tài)指示 (ST)
- 低電流消耗：
- 3.6V VIN 關(guān)斷電流 (ISD,VIN)：120nA（典型值）
- 3.6V VIN 靜態(tài)電流 (IQ, VIN)：150nA（典型值）
LM66100-Q1 是一款單輸入單輸出 (SISO) 集成式理想二極管，是各種應(yīng)用的理想之選。該器件包含一個可在 1.5V 至 5.5V 輸入電壓范圍內(nèi)運行的 P 溝道 MOSFET，并且支持 1.5A 的最大持續(xù)電流。
該芯片通過比較 CE 引腳電壓和輸入電壓來提供支持。當(dāng) CE 引腳電壓高于輸入電壓時，該器件被禁用并且 MOSFET 關(guān)斷。當(dāng) CE 引腳電壓比較低時，MOSFET 開啟。LM66100-Q1 還具有反極性保護 (RPP) 功能，可保護器件不受輸入接線錯誤的影響，例如電池裝反。
可在 ORing 配置中使用兩個 LM66100-Q1 器件，其實施方法與雙二極管 ORing 相似。在此配置中，該器件將最高輸入電壓傳遞到輸出端，同時阻斷反向電流流入輸入電源。這些器件可比較輸入和輸出電壓，從而確保內(nèi)部電壓比較器成功阻斷反向電流。
LM66100-Q1 采用標(biāo)準(zhǔn) SC-70 封裝，工作結(jié)溫范圍為 –40°C 至 150°C。
