30V、7 通道汽車類 NMOS 陣列低側(cè)驅(qū)動器
| Drivers per package | 7 |
| Switching voltage (Max) (V) | 32 |
| Output voltage (Max) (V) | 30 |
| Peak output current (mA) | 500 |
| Delay time (Typ) (ns) | 250 |
| Input compatibility | CMOS, TTL |
| Vol @ lowest spec current (Typ) (mV) | 210 |
| Iout/ch (Max) (mA) | 600 |
| Iout_off (Typ) (uA) | 0.01 |
| Rating | Automotive |
- 符合汽車類應用的 標準
- 具有符合 AEC-Q100 標準的下列結(jié)果：
- 器件溫度 1 級：-40℃ 至 +125℃ 的環(huán)境運行溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級 2
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
- 600mA 額定漏極電流（每通道）
- 7 通道達林頓晶體管陣列 CMOS 引腳對引腳改善（例如：ULN2003A）
- 能效（極低 VOL）
- 電流為 100mA 時，VOL 低于達林頓晶體管陣列的四分之一
- 輸出泄露極低，每通道小于 10nA
- 高壓輸出 30V
- 與 1.8V 和 5V 微控制器和邏輯接口兼容
- 用于提供電感反沖保護的內(nèi)部自振蕩二極管
- 可借助輸入下拉電阻器實現(xiàn)三態(tài)輸入驅(qū)動器
- 用來消除嘈雜環(huán)境中的雜散運行的輸入 RC 緩沖器
- ESD 保護性能超出 JESD 22 標準
- 2kV HBM，500V CDM
TPL7407LA-Q1 是一款高壓、高電流 NMOS 晶體管陣列。這個器件包含 7 個具有高壓輸出的 NMOS 晶體管，這些晶體管具有針對開關(guān)電感負載的共陰極鉗位二極管。單個 NMOS 通道的最大漏極電流額定值為 600mA。器件添加了新的調(diào)節(jié)和驅(qū)動電路，可在全部 GPIO 范圍（1.8V 至 5V）提供最大驅(qū)動能力。這些晶體管還可以通過采用并聯(lián)方式來提供更高的電流。
相比雙極達林頓晶體管實施，TPL7407LA-Q1 的主要優(yōu)勢在于其具有更高的能效和更低的泄漏。依賴于較低的 VOL，功率耗散比傳統(tǒng)繼電器驅(qū)動器減少一半，每通道的電流低于 250mA。
