具有反向電流阻斷功能和 DevSleep 模式的 2.7V 至 18V、42mΩ、0.6A 至 5.2A 電子保險絲
| FET | Internal |
| Ron (Typ) (mOhm) | 42 |
| Vin (Min) (V) | 2.7 |
| Vin (Max) (V) | 18 |
| Vabsmax_cont (V) | 20 |
| Current limit (Min) (A) | 0.6 |
| Current limit (Max) (A) | 5.2 |
| Overcurrent response | Current limiting |
| UL recognition | UL2367, UL60950 |
- 2.7V - 18V 工作電壓，最大絕對值 20V
- 42mΩ RON（典型值）
- 0.6A 至 5.3A 可調電流限值 (±8%)
- IMON 電流指示器輸出 (±8%)
- 200μA 工作 IQ（典型值）
- 95μA DevSleep 模式 IQ（典型值）
- 被禁用時，15μA IQ（典型值）
- ±2% 過壓、欠壓閾值
- 反向電流阻斷
- 1μs 反向電壓關閉
- 可編程 dVo/dt 控制
- 電源正常和故障輸出
- -40°C 至 125°C 的結溫范圍
- UL2367 認證正在處理中
- UL60950 - 單點故障測試期間安全
應用范圍
- PCIe/SATA/SAS 硬盤 (HDD) 和 SSD 硬盤
- 企業(yè)級和微型服務器
- 智能負載開關
- 機頂盒 (STB)，數字電視 (DTV) 和游戲控制臺
- RAID 卡 - 保持電源管理
- 電信交換機和路由器
- 適配器供電器件
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TPS25940 eFuse 電源開關是一款緊湊且特性豐富的電源管理器件，此器件具有一整套的保護功能，其中包括一個低功率 DevSleep 模式，此模式支持與 SATA 器件睡眠標準的兼容性。 寬工作范圍可實現對很多常用直流總線電壓的控制。 集成背靠背場效應晶體管 (FET) 提供雙向電流控制，從而使得器件非常適合于那些具有負載側保持能量，而這些能量又一定不能回流至故障電源總線的系統(tǒng)。
負載、電源和器件保護由很多可編程特性提供，其中包括過流，dVo/dt 斜率和過壓、欠壓閾值。 為了實現系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)視和下游負載控制，此器件提供 PGOOD，FLT 和精密電流監(jiān)視輸出。 精密可編程欠壓、過壓閾值和低 IQ DevSleep 模式簡化了 SSD 電源管理設計。
TPS25940 監(jiān)視 V(IN) 和 V(OUT)，以便在 V(IN) < (V(OUT) - 10mV) 時提供真正反向阻斷。 這個功能在后備電壓大于總線電壓的系統(tǒng)中支持快速切換至一個升壓儲能元件。
如需了解所有可用封裝，請見數據表末尾的可訂購產品附錄。 TPS25940L = 已鎖存，TPS25940A = 自動重試
