FF200R17KE4英飛凌IGBT模塊

FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止（fieldstop），這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優(yōu)勢。該技術可使靜態(tài)和動態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產(chǎn)品的功率范圍。硅片結溫可高達175℃，運行溫度可達150℃。低損耗，F(xiàn)F150R12KS4 IGBT模塊具有低EMI噪聲，高可靠性，高運行結溫等優(yōu)點。主要應用在100KW光伏逆變器，電機驅(qū)動，電源等領域。

技術參數(shù)：

? Ic(A),Tc=80℃：       200

? Vce(sat),Max(V)：     -

? Ton(us)：           -

? Toff(us)：           -

? Rth(j-c),K/W：        -

? Pc(W):                -

? 封裝:               62mm

? 電路結構:           半橋

典型應用：

? 大功率變流器

? 電機傳動

? UPS系統(tǒng)

? 風力發(fā)電機

電氣特性：

? 提高工作結溫 Tvj op

? 低 VCEsat

? 無與倫比的堅固性

? VCEsat帶正溫度系數(shù)

機械特性：

? 封裝的 CTI > 400

? 高爬電距離和電氣間隙

? 絕緣的基板

? 標封裝

? 4KV 交流 1分鐘 絕緣