MA46H120

GaAs超突變

MACOM 的 MA46H120 系列是一種砷化鎵倒裝芯片超突變變?nèi)荻O管。這些器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應而設計的工藝。MA46H120 二極管已用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚酰亞胺層以防止刮擦。保護涂層可防止在自動或手動處理過程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。

特征

• 用于線性調(diào)諧的恒定伽瑪
• 表面貼裝配置
• 聚酰亞胺劃痕保護
• 氮化硅鈍化
• 高Q值
• 低寄生電容和電感

應用

• 主義

產(chǎn)品規(guī)格

零件號

MA46H120 

描述

GaAs超突變

伽馬

1.00

總電容(pF)

0.350

品質因數(shù) @ 50 MHz，最小值

3000

擊穿電壓(V)

15

包裹

倒裝芯片芯片

包裹類別

表面貼裝模具

MA46H120                   MAVR-000320-0287GT       MA46471-134

MA46H201-1088              MA46474-94                MA46413-120

MA46461-186                MA46H202-1088             MA46H500-1056

MA46H070-1056              MA46H203-1088            MA46H203-1056

MA46H204-1056              MA46H504-1056            MA46603-276

MA46418-120                MA46H501-1056             MA46474-95

MA46H073-1056              MA46H071-1088             MA46H072-1056

MA46474-134                 MA46477-134               MA46475-134

MA46476-120                 MA46473-134               MA46477-120