--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 邏輯輸入電壓 2.5 V至6.5 V
- 輸出電源電壓 4.5 V至35 V
- 封裝 SOIC_IC
--- 產(chǎn)品詳情 ---

隔離器采用2.5 V至6.5 V邏輯輸入電壓工作,可與低壓系統(tǒng)兼容。與采用高壓電平轉(zhuǎn)換方法的柵極驅(qū)動(dòng)器相比,ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2的輸入與各輸出之間具有真電氣隔離優(yōu)勢(shì)。
ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2均內(nèi)置有重疊保護(hù),且允許進(jìn)行死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)。死區(qū)時(shí)間引腳(DT)和GND1引腳之間的單個(gè)電阻在高端和低端輸出之間的次級(jí)側(cè)設(shè)置死區(qū)時(shí)間。
如果ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2上的內(nèi)部溫度超過(guò)TSD溫度,內(nèi)部熱關(guān)斷(TSD)將輸出設(shè)置為低輸出。因此,ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2能夠可靠地控制廣泛正或負(fù)開(kāi)關(guān)電壓范圍下的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)/金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)配置的開(kāi)關(guān)特性。
應(yīng)用
- 開(kāi)關(guān)電源
- 隔離式IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
- 工業(yè)逆變器
- 氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)兼容
- 4 A峰值電流(<2 Ω RDSON_x)
- 邏輯輸入電壓:2.5 V至6.5 V
- 輸出電源電壓:4.5 V至35 V
- UVLO VDD1趨正閾值:2.5 V(最大值)
- 用于VDDA和VDDB趨正閾值的多個(gè)UVLO選項(xiàng)
- A級(jí):4.5 V(最大值)
- B級(jí):7.5 V(最大值)
- C級(jí):11.6 V(最大值)
- 精密時(shí)序特性
- 傳輸延遲:44 ns(最大值)
- 可調(diào)的死區(qū)時(shí)間和雙輸入(ADuM4221)
- 可調(diào)的死區(qū)時(shí)間和單輸入(ADuM4221-1)
- 無(wú)死區(qū)時(shí)間控制和雙輸入(ADuM4221-2)
- CMOS輸入邏輯電平
- 高共模瞬變抗擾度:150 kV/μs
- 工作結(jié)溫最高可達(dá):125°C
- 默認(rèn)低電平輸出
- 安全和法規(guī)認(rèn)證(申請(qǐng)中)
- UL認(rèn)證(UL 1577)
- 5700 V rms持續(xù)1分鐘
- CSA元件驗(yàn)收通知5A
- VDE合格證書(shū)
- DIN V VDE V 0884-11: VIORM = 849 V 峰值
- UL認(rèn)證(UL 1577)
- 增強(qiáng)爬電距離寬體、16引腳SOIC_IC封裝
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