LTC7891是一款高性能、降壓DC/DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器控制器，通過(guò)高達(dá)100 V的輸入電壓驅(qū)動(dòng)所有N通道同步氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)。LTC7891解決了許多使用GaN FET時(shí)通常會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。與硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)解決方案相比，LTC7891簡(jiǎn)化了應(yīng)用設(shè)計(jì)，無(wú)需保護(hù)二極管和其他附加外部組件。
內(nèi)部智能自舉開(kāi)關(guān)可防止BOOST引腳至SW引腳高端驅(qū)動(dòng)器電源在死區(qū)時(shí)間內(nèi)過(guò)度充電，從而保護(hù)頂部GaN FET的柵極。LTC7891在內(nèi)部?jī)?yōu)化了兩個(gè)開(kāi)關(guān)邊沿的柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)序，以實(shí)現(xiàn)智能近零死區(qū)時(shí)間，從而顯著提升效率，甚至在高輸入電壓下也能實(shí)現(xiàn)高頻運(yùn)行。或者，用戶(hù)可以使用外部電阻調(diào)整死區(qū)時(shí)間以進(jìn)行裕量調(diào)整或定制應(yīng)用。
LTC7891的柵極驅(qū)動(dòng)電壓可在4 V至5.5 V范圍內(nèi)精確調(diào)節(jié)以?xún)?yōu)化性能，并且可使用不同的GaN FET，甚至是邏輯電平MOSFET。
請(qǐng)注意，在整篇數(shù)據(jù)手冊(cè)中，多功能引腳（如PLLIN/SPREAD）由整個(gè)引腳名稱(chēng)或引腳的單個(gè)功能表示；例如PLLIN即表示僅與此功能相關(guān)。
應(yīng)用
- 工業(yè)電源系統(tǒng)
- 軍事航空電子和醫(yī)療系統(tǒng)
- 電信電源系統(tǒng)
- 為 GaN FET 全面優(yōu)化的 GDN 驅(qū)動(dòng)器技術(shù)
- 寬 VIN 范圍：4 V 至 100 V
- 寬輸出電壓范圍：0.8 V ≤ VOUT ≤ 60 V
- 無(wú)需環(huán)流、箝位或陰極負(fù)載二極管
- 內(nèi)部智能引導(dǎo)開(kāi)關(guān)可防止高端驅(qū)動(dòng)器電源過(guò)度充電
- 經(jīng)過(guò)內(nèi)部?jī)?yōu)化，智能近零停滯時(shí)間或電阻可調(diào)停滯時(shí)間
- 可調(diào)的開(kāi)/關(guān)驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度的分流輸出柵極驅(qū)動(dòng)器
- 精確可調(diào)驅(qū)動(dòng)器電壓和 UVLO
- 低工作 IQ：5 μA（48 VIN 至 5 VOUT）
- 可編程頻率（100 kHz 至 3 MHz）
- 可鎖相頻率（100 kHz 至 3 MHz）
- 展頻 (SSFM)
- 28 引腳 (4 mm × 5 mm) 側(cè)面可濕性 QFN 封裝
LTC3892
LTC3892-1
LTC3892-2
LTC3899
MAX17558
LT8709
LTC3807
MAX20751
LTC3882
LT3840
LTC3870
LTC3875
RH3845MK
MAX16931
LTC3838-1
LTC3838-2
LTC3859AL
LTC3864
LTC3890-2
LTC3890-3
