--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻率 180 MHz
- 工作溫度 -40℃ ~ 85℃
--- 產(chǎn)品詳情 ---
描述
小功率
STM32F427xx和STM32F429xx器件基于高性能Arm Cortex -M4 32位RISC內(nèi)核,工作頻率高達(dá)180 MHz。Cortex-M4內(nèi)核具有浮點(diǎn)單元(FPU)單精度,支持所有Arm單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。它還實(shí)現(xiàn)了一整套DSP指令和一個存儲器保護(hù)單元(MPU ),增強(qiáng)了應(yīng)用的安全性。
STM32F427xx和STM32F429xx器件集成了高速嵌入式存儲器(最大2 MB的閃存、最大256的SRAM)、最大4 kb的備份SRAM,以及連接到兩條APB總線、兩條AHB總線和一個32位多AHB總線矩陣的大量增強(qiáng)型I/o和外設(shè)。
所有器件都提供三個12位ADC、兩個DAC、一個低功耗RTC、12個通用16位定時器,包括兩個用于電機(jī)控制的PWM定時器和兩個通用32位定時器。它們還具有標(biāo)準(zhǔn)和高級通信接口。

特性
內(nèi)核:Arm 32位Cortex -M4 CPU,帶FPU,自適應(yīng)實(shí)時加速器(ART Accelerator ),允許從閃存執(zhí)行0等待狀態(tài),頻率高達(dá)180 MHz,MPU,225 DMI PS/1.25 DMI PS/MHz(Dhrystone 2.1),以及DSP指令
記憶
高達(dá)2 MB的閃存,分為兩個存儲體,允許邊讀邊寫
高達(dá)256+4 KB的SRAM,包括64kb CCM(內(nèi)核耦合存儲器)數(shù)據(jù)RAM
靈活的外部存儲器控制器,最高支持32位數(shù)據(jù)總線:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、緊湊型閃存/NOR/NAND存儲器
LCD并行接口,8080/6800模式
具有完全可編程分辨率的LCD-TFT控制器(總寬度高達(dá)4096像素,總高度高達(dá)2048行,像素時鐘高達(dá)83 MHz)
用于增強(qiáng)圖形內(nèi)容創(chuàng)作的Chrom-ART加速器(DMA2D)
時鐘、復(fù)位和電源管理
1.7 V至3.6 V應(yīng)用電源和I/o
POR、PDR、PVD和BOR
4至26 MHz晶體振蕩器
內(nèi)部16 MHz工廠調(diào)整RC (1%精度)
用于RTC的32 kHz振蕩器,帶校準(zhǔn)
帶校準(zhǔn)的內(nèi)部32 kHz RC
睡眠、停止和待機(jī)模式
RTC VBAT電源、20×32位備份寄存器+可選4 KB備份SRAM
3×12位、2.4 MSPS ADC:三倍交錯模式下最多24個通道和7.2 MSPS
2×12位數(shù)模轉(zhuǎn)換器
通用DMA: 16流DMA控制器,支持FIFOs和突發(fā)
最多17個定時器:最多12個16位和兩個32位定時器,最高180 MHz,每個定時器最多4個IC/OC/PWM或脈沖計(jì)數(shù)器和正交(增量)編碼器輸入調(diào)試模式
社會福利署和JTAG接口
皮質(zhì)-M4 Trace宏單元
多達(dá)168個具有中斷能力的I/O端口
高達(dá)164個高達(dá)90 MHz的快速I/o
多達(dá)166個5 V容差I(lǐng)/o
多達(dá)21個通信接口
多達(dá)3個I2C接口(SMBus/PMBus)
多達(dá)4個USARTs個UART(11.25 Mbit/s,ISO7816接口,LIN,IrDA,調(diào)制解調(diào)器控制)
多達(dá)6個SPI(45 Mbits/s),其中2個具有多路復(fù)用全雙工I2S,通過內(nèi)部音頻PLL或外部時鐘實(shí)現(xiàn)音頻級精度
1個SAI(串行音頻接口)
2 × CAN (2.0B有效)和SDIO接口
高級連接
帶片內(nèi)PHY的USB 2.0全速設(shè)備/主機(jī)/OTG控制器
USB 2.0高速/全速設(shè)備/主機(jī)/OTG控制器,帶專用DMA、片內(nèi)全速PHY和ULPI
帶專用DMA的10/100以太網(wǎng)MAC:支持IEEE 1588v2硬件,MII/RMII
8至14位并行攝像頭接口,最高可達(dá)54兆字節(jié)/秒
真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器
CRC計(jì)算單元
RTC:亞秒精度,硬件日歷
96位唯一ID
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