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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXMN6A08G N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： ZXMN6A08G

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) ZXMN6A08G
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT223

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXMN6A08G  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXMN6A08G這款新一代溝槽 MOSFET 具有獨(dú)特的結(jié)構(gòu)，結(jié)合了低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    ZXMN6A08G
名稱                    N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SOT223


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 80 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 150 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.8 nC
CISS Typ (pF) 459 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 40 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
快速切換速度
低閾值
低門驅(qū)動(dòng)器


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