Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FET
UnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產(chǎn)品，提供業(yè)界最佳的性能品質(zhì)因數(shù)，可在更高速度的情況下降低導(dǎo)通損耗和增加效率，同時(shí)提高整體成本效益。Gen 4系列有5.4mΩ至60mΩ可選，基于獨(dú)特的共源共柵配置，其中高性能SiC JFET與共源共柵極優(yōu)化的Si-MOSFET共同封裝，以生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)SiC器件。UJ4C/SC 750V FET的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可實(shí)現(xiàn)“插入式更換”功能。通過(guò)用UnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC FET取代現(xiàn)有的Si IGBT、Si FET、SiC FET或Si超級(jí)結(jié)器件，設(shè)計(jì)者可以在不需要改變柵極驅(qū)動(dòng)電壓的情況下顯著提高系統(tǒng)性能。
UnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FET采用三引線TO247-3L封裝、具有開(kāi)爾文柵極連接的四引線TO-247-4封裝或MO-229封裝。TO-247-4封裝的開(kāi)爾文源極設(shè)計(jì)顯著降低了開(kāi)關(guān)損耗和柵極振鈴。MO-229封裝可實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)和更干凈的柵極波形。

特性
750V VDS額定值
5.4mΩ至60mΩ的低RDS（on）
關(guān)鍵的優(yōu)異性能使下一代高性能電源設(shè)計(jì)成為可能
同類最佳RDS（on） x區(qū)域
在給定的RDS（on）下改善Qrr和Eon/Eoff損耗
減少Coss(er)/Eoss 和Coss(tr)
6mΩ時(shí)短路耐受時(shí)間為5μs
可用標(biāo)準(zhǔn)的0V至12V或15V柵極驅(qū)動(dòng)電壓安全驅(qū)動(dòng)
真正的5V閾值電壓可保持出色的閾值噪聲容限
適用于所有Si IGBT、Si FET和SiC FET驅(qū)動(dòng)電壓
優(yōu)秀的反向恢復(fù)
出色的體二極管性能（Vf<2V）
低柵極電荷
ESD保護(hù)，HBM 2級(jí)
TO247-3L、TO247-4L（Kelvin）和MO-229封裝
符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
牽引逆變器
DC-DC轉(zhuǎn)換器
光伏逆變器
Ev電池充電
開(kāi)關(guān)模式電源
功率因數(shù)校正模塊
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
感應(yīng)加熱
IT基礎(chǔ)設(shè)施
固態(tài)繼電器和斷路器（僅限-L8S型號(hào)）
AC/DC前端中的線路整流和有源橋式整流電路（僅限-L8S型號(hào)）