AD669SQ/883B DACPORT?是一款完整的16位單芯片DAC，內(nèi)置一個(gè)片上基準(zhǔn)電壓源和輸出放大器。它采用ADI公司的BiMOS II工藝制造。該工藝允許在與高精度雙極線性電路相同的芯片上制造低功率CMOS邏輯功能。AD669芯片包括電流開關(guān)、解碼邏輯、輸出放大器、嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源和雙緩沖鎖存器。
AD669SQ/883B 的架構(gòu)可確保整個(gè)溫度范圍內(nèi)的15位單調(diào)性。積分非線性保持在0.003%，而微分非線性最大為0.003%。對(duì)于滿量程步進(jìn)，片內(nèi)輸出放大器提供10 ms的電壓輸出建立時(shí)間，精度在1/2 LSB以內(nèi)。
數(shù)據(jù)以并行16位格式載入AD669。雙緩沖鎖存結(jié)構(gòu)消除了數(shù)據(jù)偏斜誤差，并支持多DAC系統(tǒng)中DAC的同步更新。三個(gè)TTL/LSTTL/5 V CMOS兼容信號(hào)控制鎖存器:特許測(cè)量員,腰神經(jīng)2和LDAC.
AD669的輸出范圍可通過(guò)引腳編程設(shè)置，提供0 V至+10 V的單極性輸出范圍或-10 V至+10 V的雙極性輸出范圍。
AD669分為七個(gè)等級(jí):AN和BN版本的額定溫度范圍為-40°C至+85°C，采用28引腳塑封DIP封裝。AR和BR版本的額定工作溫度范圍為-40°C至+85°C，采用28引腳SOIC封裝。SQ版本的額定溫度范圍為-55°C至+125°C，采用28引腳密封cerdip封裝。AD669還符合MIL-STD-883標(biāo)準(zhǔn)。有關(guān)規(guī)格和測(cè)試條件，請(qǐng)參考AD669/883B數(shù)據(jù)手冊(cè)。
AD669SQ/883B 詳情概述：
AD669SQ/883B 是一款完整的電壓輸出16位DAC，在單IC芯片上集成基準(zhǔn)電壓源和數(shù)字鎖存。
內(nèi)部嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓經(jīng)過(guò)激光調(diào)整至10.000，最大誤差為0.2%?；鶞?zhǔn)電壓也可用于外部應(yīng)用。
AD669具有直流和交流額定性能。DC規(guī)格包括1 LSB INL誤差和1 LSB DNL誤差。交流規(guī)格包括0.009% THD+ N和83 dB SNR。交流規(guī)格使AD669適合信號(hào)產(chǎn)生應(yīng)用。
AD669上的雙緩沖鎖存器消除了數(shù)據(jù)偏斜誤差，同時(shí)允許同步更新多DAC系統(tǒng)中的DAC。
輸出范圍為引腳可編程的單極性0 V至+10 V或雙極性–10V至+10 V輸出。無(wú)需外部元件即可設(shè)置所需的輸出范圍。
AD669SQ/883B 特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)：
自動(dòng)校準(zhǔn)
片內(nèi)采樣保持功能
并行輸出格式
16位無(wú)失碼
1 LSB INL
–97分貝總諧波失真
90 dB S/(N+D)
1 MHz全功率帶寬
RFSA2023
50 - 6000 MHz、3.3 V 壓控衰減器
RFSA2023
關(guān)鍵性能
- 專利電路架構(gòu)
- 寬帶 50MHz 至 6000MHz 頻率范圍
- 30dB衰減范圍
- +50dBm IIP3 典型值
- +80dBm IIP2 典型值
- 高1dB壓縮點(diǎn)>+30dBm
- 低電源電流（典型值 1mA）
- 3.3V電源
- 線性 dB 控制特性
- 內(nèi)部溫度補(bǔ)償
- 1C 類 ESD（1000V）
- 采用小型 3mm x 3mm QFN 封裝的完整解決方案
- 5V 部件可用 RFSA2013
Qorvo 的 RFSA2023 是一款全單片模擬壓控衰減器 (VCA)，在典型的溫度補(bǔ)償 30dB 增益控制范圍內(nèi)具有出色的線性度。它采用了革命性的新型電路架構(gòu)，解決了長(zhǎng)期存在的行業(yè)問(wèn)題：高IP3、高衰減范圍、低直流電流、寬帶寬和溫度補(bǔ)償線性dB控制電壓特性。該壓控衰減器由帶有片上直流調(diào)節(jié)電路的單個(gè)正控制電壓控制?？刂齐妷号c增益的斜率是可選擇的。 RFSA2023 消耗非常低的 1mA 電流，并采用小型 3mm x 3mm QFN 封裝。該衰減器在其額定控制范圍和頻率上匹配 50 歐姆，無(wú)需外部匹配組件。典型的 VCA'此性能類別中的器件具有較差的固有衰減與溫度關(guān)系以及較差的非線性衰減與控制電壓特性。為了糾正這些缺點(diǎn)，其他 VCA 需要大量片外模擬支持電路，這會(huì)消耗寶貴的 PCB 面積和額外的直流電源。這款改變游戲規(guī)則的產(chǎn)品將完整的解決方案融入小型 3mm x 3mm QFN 封裝中，與傳統(tǒng) PIN 二極管方法相比，占地面積減少了 20 倍，直流功率減少了 10 倍。這款改變游戲規(guī)則的產(chǎn)品將完整的解決方案融入小型 3mm x 3mm QFN 封裝中，與傳統(tǒng) PIN 二極管方法相比，占地面積減少了 20 倍，直流功率減少了 10 倍。這款改變游戲規(guī)則的產(chǎn)品將完整的解決方案融入小型 3mm x 3mm QFN 封裝中，與傳統(tǒng) PIN 二極管方法相比，占地面積減少了 20 倍，直流功率減少了 10 倍。
