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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>顯示及光電>MBE技術(shù)在InN材料中的應(yīng)用及其晶體質(zhì)量和光學(xué)特性的影響介紹

      MBE技術(shù)在InN材料中的應(yīng)用及其晶體質(zhì)量和光學(xué)特性的影響介紹

      2017-10-10 | rar | 2.7 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　在si （ 111）襯底上分別預(yù)沉積0，0．1，o．5，1 nm厚度的In插入層后，采用等離子輔助分子束外延法制備了纖鋅礦結(jié)構(gòu)的I nN材料，結(jié)合x射線衍射（XRD） 、掃描電子顯微鏡（SEM） 、吸收譜及光致發(fā)光譜研究了不同厚度的I n插入層對(duì)外延I nN晶體質(zhì)量和光學(xué)特性的影響。XRD和SEM的測(cè)試結(jié)果表明，在si 襯底上預(yù)沉積O．5 nm厚的I n插入層有利于改善外延I nN材料的形貌，提高材料的晶體質(zhì)量。吸收譜和光致發(fā)光譜測(cè)試表明，0．5 nm厚I n插入層對(duì)應(yīng)的I nN樣品吸收邊藍(lán)移程度最小，光致發(fā)射譜半峰寬最窄，并且有最高的帶邊輻射復(fù)合發(fā)光效率?？梢?，引入適當(dāng)厚度的I nN插入層可以改善Si襯底上外延InN材料的晶體質(zhì)量和光學(xué)特性。

      MBE技術(shù)在InN材料中的應(yīng)用及其晶體質(zhì)量和光學(xué)特性的影響介紹
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