資料介紹
人們解決半導(dǎo)體可靠性問(wèn)題的努力在某種程度上遵從一種可預(yù)測(cè)周期,就像摩爾定律預(yù)測(cè)集成電路尺寸縮減的規(guī)律一樣。例如,在業(yè)界采用VLSI工藝之后,引入了鋁互連工藝以滿(mǎn)足電路速度的要求。然后我們很快就發(fā)現(xiàn)了諸如電遷移等可靠性問(wèn)題。在發(fā)現(xiàn)這些問(wèn)題之后,我們不得不通過(guò)實(shí)驗(yàn)工作對(duì)電路性能下降的機(jī)理進(jìn)行建模。在建立有關(guān)模型之后,工藝工程師又要采取措施優(yōu)化新工藝的可靠性。隨著技術(shù)的成熟,人們的研究重點(diǎn)又轉(zhuǎn)向如何減少缺陷。隨著ULSI工藝的引進(jìn),對(duì)新材料(例如應(yīng)變硅、銅和低k互連介質(zhì))的可靠性研究又再次重復(fù)這一周期。
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