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通 過(guò) 開(kāi) 展 光 敏 晶體 管 的 反應(yīng) 堆 中 子 輻 照 實(shí) 驗(yàn) ，獲 得 位 移 效 應(yīng) 實(shí) 驗(yàn) 結(jié) 果 ，并 分 析 位 移 損 傷 機(jī) 理 。研?
究 發(fā) 現(xiàn) ，在 3× 10”～ 5× 10 cm一 中子 注量 范 圍 內(nèi) ，光 敏 晶體 管 增 益 和 光 響 應(yīng) 度 的 下 降 導(dǎo) 致 集 電極 輸 出?
電流下降 。增益 的倒數(shù) 與注量的增 加呈 線性關(guān) 系 ，注入 電流越 大 ，線性關(guān) 系 的斜率 越小 。理 論分 析表?
明 ，通 過(guò) 提 高 基 區(qū) 摻 雜 水 平 或 減 小 基 區(qū) 寬 度 ，可 提 高 增 益 的 抗 輻 射 水 平 ；不 同 反 向偏 置 電壓 下 的初 級(jí) 光?
電流輻照前基 本相 同 ，隨著輻 照注量 的增大 ，差異 逐 漸增 大 ，反 向偏 置 電壓越 大 ，初級(jí) 光電 流的退 化越?
小 ；通 過(guò) 采 用 PIN 結(jié) 構(gòu) 或 加 大 反 向偏 置 電壓 來(lái) 展 寬耗 盡 區(qū) 以 減 少 受 位 移 效 應(yīng) 嚴(yán) 重 影 響 的 擴(kuò) 散 電 流 份 額 ，?
可 提 高 初 級(jí) 光 電流 的抗 輻 射 水 平 。與 PIN 光 電 二 極 管 不 同 ，本 實(shí) 驗(yàn) 注 量 范 圍 內(nèi) ，光 敏 晶 體 管 的 暗 電流 隨?
注 量 的增 大 而 減 小 。
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