資料介紹
TTL全稱Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT邏輯門電路,是數(shù)字電子技術(shù)中常用的一種邏輯門電路,應(yīng)用較早,技術(shù)已比較成熟。TTL主要有BJT(Bipolar Junction Transistor 即雙極結(jié)型晶體管,晶體三極管)和電阻構(gòu)成,具有速度快的特點(diǎn)。最早的TTL門電路是74系列,后來(lái)出現(xiàn)了74H系列,74L系列,74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺點(diǎn),正逐漸被CMOS電路取代。 TTL門電路有74(商用)和54(軍用)兩個(gè)系列,每個(gè)系列又有若干個(gè)子系列。 TTL電平信號(hào): TTL電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定,+5V等價(jià)于邏輯“1”,0V等價(jià)于邏輯“0”,這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng),這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。 TTL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的,首先計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸對(duì)于電源的要求不高以及熱損耗也較低,另外TTL電平信號(hào)直接與集成電路連接而不需要價(jià)格昂貴的線路驅(qū)動(dòng)器以及接收器電路;再者,計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是在高速下進(jìn)行的,而TTL接口的操作恰能滿足這個(gè)要求。TTL型通信大多數(shù)情況下,是采用并行數(shù)據(jù)傳輸方式,而并行數(shù)據(jù)傳輸對(duì)于超過(guò)10英尺的距離就不適合了。這是由于可靠性和成本兩面的原因。因?yàn)樵诓⑿薪涌谥写嬖谥嗪筒粚?duì)稱的問(wèn)題,這些問(wèn)題對(duì)可靠性均有影響。 TTL輸出高電平》2.4V,輸出低電平《0.4V。在室溫下,一般輸出高電平是3.5V,輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平:輸入高電平》=2.0V,輸入低電平《=0.8V,噪聲容限是0.4V。 TTL電路是電流控制器件,TTL電路的速度快,傳輸延遲時(shí)間短(5-10ns),但是功耗大。
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件。是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
CMOS集成電路介紹
自1958年美國(guó)德克薩斯儀器公司(TI)發(fā)明集成電路(IC)后,隨著硅平面技術(shù)的發(fā)展,二十世紀(jì)六十年代先后發(fā)明了雙極型和MOS型兩種重要的集成電路,它標(biāo)志著由電子管和晶體管制造電子整機(jī)的時(shí)代發(fā)生了量和質(zhì)的飛躍。 MOS是:金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,而由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為 CMOS-IC( Complementary MOS Integrated Circuit)。 目前數(shù)字集成電路按導(dǎo)電類型可分為雙極型集成電路(主要為TTL)和單極型集成電路(CMOS、NMOS、PMOS等)。CMOS電路的單門靜態(tài)功耗在毫微瓦(nw)數(shù)量級(jí)。 CMOS發(fā)展比TTL晚,但是以其較高的優(yōu)越性在很多場(chǎng)合逐漸取代了TTL。 以下比較兩者性能,大家就知道其原因了。 1.CMOS是場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成,TTL為雙極晶體管構(gòu)成 2.CMOS的邏輯電平范圍比較大(5~15V),TTL只能在5V下工作 3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強(qiáng),TTL則相差小,抗干擾能力差 4.CMOS功耗很小,TTL功耗較大(1~5mA/門) 5.CMOS的工作頻率較TTL略低,但是高速CMOS速度與TTL差不多相當(dāng)。 集成電路中詳細(xì)信息: 1,TTL電平: 輸出高電平》2.4V,輸出低電平《0.4V。在室溫下,一般輸出高電平是3.5V,輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平:輸入高電平》=2.0V,輸入低電平《=0.8V,噪聲容限是0.4V。 2,CMOS電平: 1邏輯電平電壓接近于電源電壓,0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。 3,電平轉(zhuǎn)換電路: 因?yàn)門TL和CMOS的高低電平的值不一樣(ttl 5v《==》cmos 3.3v),所以互相連接時(shí)需要電平的轉(zhuǎn)換:就是用兩個(gè)電阻對(duì)電平分壓,沒(méi)有什么高深的東西。 4,驅(qū)動(dòng)門電路 OC門,即集電極開路門電路,OD門,即漏極開路門電路,必須外接上拉電阻和電源才能將開關(guān)電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關(guān)大電壓和大電流負(fù)載,所以又叫做驅(qū)動(dòng)門電路。 5,TTL和CMOS電路比較: 1)TTL電路是電流控制器件,而CMOS電路是電壓控制器件。 2)TTL電路的速度快,傳輸延遲時(shí)間短(5-10ns),但是功耗大。 CMOS電路的速度慢,傳輸延遲時(shí)間長(zhǎng)(25-50ns),但功耗低。 CMOS電路本身的功耗與輸入信號(hào)的脈沖頻率有關(guān),頻率越高,芯片集越熱,這是正常現(xiàn)象。 3)CMOS電路的鎖定效應(yīng): CMOS電路由于輸入太大的電流,內(nèi)部的電流急劇增大,除非切斷電源,電流一直在增大。這種效應(yīng)就是鎖定效應(yīng)。當(dāng)產(chǎn)生鎖定效應(yīng)時(shí),CMOS的內(nèi)部電流能達(dá)到40mA以上,很容易燒毀芯片。 防御措施: 1)在輸入端和輸出端加鉗位電路,使輸入和輸出不超過(guò)不超過(guò)規(guī)定電壓。 2)芯片的電源輸入端加去耦電路,防止VDD端出現(xiàn)瞬間的高壓。 3)在VDD和外電源之間加線流電阻,即使有大的電流也不讓它進(jìn)去。 4)當(dāng)系統(tǒng)由幾個(gè)電源分別供電時(shí),開關(guān)要按下列順序:開啟時(shí),先開啟CMOS電路得電源,再開啟輸入信號(hào)和負(fù)載的電源;關(guān)閉時(shí),先關(guān)閉輸入信號(hào)和負(fù)載的電源,再關(guān)閉CMOS電路的電源。 6,CMOS電路的使用注意事項(xiàng) 1)CMOS電路時(shí)電壓控制器件,它的輸入總抗很大,對(duì)干擾信號(hào)的捕捉能力很強(qiáng)。所以,不用的管腳不要懸空,要接上拉電阻或者下拉電阻,給它一個(gè)恒定的電平。 2)輸入端接低內(nèi)組的信號(hào)源時(shí),要在輸入端和信號(hào)源之間要串聯(lián)限流電阻,使輸入的 電流限制在1mA之內(nèi)。 3)當(dāng)接長(zhǎng)信號(hào)傳輸線時(shí),在CMOS電路端接匹配電阻。 4)當(dāng)輸入端接大電容時(shí),應(yīng)該在輸入端和電容間接保護(hù)電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。 5)CMOS的輸入電流超過(guò)1mA,就有可能燒壞CMOS。 7,TTL門電路中輸入端負(fù)載特性(輸入端帶電阻特殊情況的處理): 1)懸空時(shí)相當(dāng)于輸入端接高電平。因?yàn)檫@時(shí)可以看作是輸入端接一個(gè)無(wú)窮大的電阻。 2)在門電路輸入端串聯(lián)10K電阻后再輸入低電平,輸入端出呈現(xiàn)的是高電平而不是低電平。因?yàn)橛蒚TL門電路的輸入端負(fù)載特性可知,只有在輸入端接的串聯(lián)電阻小于910歐時(shí),它輸入來(lái)的低電平信號(hào)才能被門電路識(shí)別出來(lái),串聯(lián)電阻再大的話輸入端就一直呈現(xiàn)高電平。這個(gè)一定要注意。CMOS門電路就不用考慮這些了。 8,TTL和CMOS電路的輸出處理 TTL電路有集電極開路OC門,MOS管也有和集電極對(duì)應(yīng)的漏極開路的OD門,它的輸出就叫做開漏輸出。OC門在截止時(shí)有漏電流輸出,那就是漏電流,為什么有漏電流呢?那是因?yàn)楫?dāng)三機(jī)管截止的時(shí)候,它的基極電流約等于0,但是并不是真正的為0,經(jīng)過(guò)三極管的集電極的電流也就不是真正的0,而是約0。而這個(gè)就是漏電流。開漏輸出:OC門的輸出就是開漏輸出;OD門的輸出也是開漏輸出。它可以吸收很大的電流,但是不能向外輸出的電流。所以,為了能輸入和輸出電流,它使用的時(shí)候要跟電源和上拉電阻一齊用。OD門一般作為輸出緩沖/驅(qū)動(dòng)器、電平轉(zhuǎn)換器以及滿足吸收大負(fù)載電流的需要。
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