資料介紹
PN 結(jié)是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的基本單元。
分析方法:將 PN 結(jié)分為 4 個(gè)區(qū),在每個(gè)區(qū)中分別對(duì)半導(dǎo)體器件基本方程進(jìn)行簡(jiǎn)化和求解。
突變結(jié):P 區(qū)與 N 區(qū)的雜質(zhì)濃度都是均勻的,雜質(zhì)濃度在冶金結(jié)面(x = 0)處發(fā)生突變。當(dāng)一側(cè)的濃度遠(yuǎn)大于另一側(cè)時(shí),稱為 單邊突變結(jié),分別記為 PN+ 單邊突變結(jié)和 P+N 單邊突變結(jié)。
線性緩變結(jié):冶金結(jié)面兩側(cè)的雜質(zhì)濃度隨距離作線性變化,雜質(zhì)濃度梯度 a 為常數(shù)。
PN 結(jié)的平衡狀態(tài)
平衡狀態(tài):PN 結(jié)內(nèi)部的溫度均勻穩(wěn)定,不存在外加電壓、光照、磁場(chǎng)、輻射等外作用。
本節(jié)將介紹 PN 結(jié) 空間電荷區(qū)的形成,PN 結(jié)的 內(nèi)建電場(chǎng)、內(nèi)建電勢(shì),及平衡時(shí)的 PN 結(jié) 空間電荷區(qū)寬度。
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