sst39vf160x和sst39vf320x設(shè)備100萬(wàn)x16和2M的X16，分別為CMOS多用閃光加（強(qiáng)積金+）與SST的專(zhuān)有制造，高性能CMOS的SuperFlash技術(shù)。分裂柵單元設(shè)計(jì)和厚氧化物隧道注入器與其他方法相比，具有更好的可靠性和可制造性。的sst39vf160x / 320x寫(xiě)（編程或擦除）以2.7 - 3.6V的電源供應(yīng)。這些設(shè)備符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)管腳為X16的記憶。配備高性能的Word程序，該sst39vf160x / 320x器件提供了一個(gè)典型的wordprogram時(shí)間7μ秒。這些設(shè)備使用的切換點(diǎn)或數(shù)據(jù)#投票表明程序運(yùn)行完成。為了防止無(wú)意寫(xiě)入，他們有片上硬件和軟件數(shù)據(jù)保護(hù)方案。設(shè)計(jì)，制造和廣泛的應(yīng)用測(cè)試，這些設(shè)備提供保證具有典型的耐力100000個(gè)周期。數(shù)據(jù)保留率超過(guò)100年。的sst39vf160x / 320x器件適用于需要方便和經(jīng)濟(jì)的更新程序，配置應(yīng)用程序或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。對(duì)于所有系統(tǒng)應(yīng)用，它們顯著地提高了性能和可靠性，同時(shí)降低了功耗。它們?cè)诓脸途幊踢^(guò)程中使用的能源比其他閃存技術(shù)要少。所消耗的總能量是所施加的電壓、電流和應(yīng)用時(shí)間的函數(shù)。因?yàn)閷?duì)于任何給定的電壓范圍，使用更少的SuperFlash技術(shù)電流程序并擦除時(shí)間短，消耗的總能量在任何擦除或編程操作比其他閃存技術(shù)。這些設(shè)備還提高了靈活性，同時(shí)降低了程序、數(shù)據(jù)和配置存儲(chǔ)應(yīng)用程序的成本。的SuperFlash技術(shù)提供固定的擦寫(xiě)次數(shù)，獨(dú)立的擦除/編程周期已發(fā)生。因此，系統(tǒng)軟件或硬件不必按照其他閃存技術(shù)進(jìn)行修改或降級(jí)，它們的擦除和程序時(shí)間隨著累積擦除/程序周期的增加而增加。為了滿足高密度，表面貼裝的要求，sst39vf160x / 320x是提供48引腳TSOP和48球TFBGA封裝。參見(jiàn)PIN作業(yè)的圖2和圖3。