設計了一種基于二極管橋的兩級全差分跟蹤保持電路， 兩級模塊由獨立的時鐘控制， 可以各自工作在跟蹤模式。芯片采用 1 Lm GaAs HBT 工藝實現(xiàn)， 芯片大小為1. 8 mm×2 mm ， 功耗2. 75 W。經測試， 電路可以工作在1 GS/s 采樣速率下， 單端輸入峰峰值250 mV 信號時采樣帶寬超過7 GHz; 單端輸入峰峰值250 mV， DC-2 GHz 信號時， 電路具有8 bit 有效位。

　　基于三級管工藝的跟蹤保持電路主要分為開關射極跟隨器（ Sw itched emitter follower， SEF） 和二極管橋（ Dio de bridge） 兩種。二極管橋結構主要具有饋通小及時鐘沿有限引起的采樣時間不確定性小等優(yōu)點［ 6］。圖1 為二極管橋式跟蹤電路拓撲圖。其中輸入端在片內上拉50 8 到地， 信號經過輸入緩沖進入二極管橋式電路T H1， T H1 在CK1 的控制下完成對信號的處理， 之后， 信號進入T H2。最后一級為輸出緩沖電路， 設計驅動 50 8 負載， 輸入端上拉 50 8 到VOU T。當TM 1/ 2 接地時， 時鐘緩沖電路輸出高低電平， 控TH1/ TH2 工作在跟蹤模式。當TM 1/ 2 懸空時， CK1 和 CK2 輸入頻率相同、相位相差 180 的信號時， 輸出信號可以根據時鐘周期分為兩段， 前半周期為T H2 跟蹤T H1 的保持階段的信號， 后半周期為T H2 保持本級前半周期的信號。電路采用差分結構， 主要用來消除共模噪聲， 抑制偶次諧波， 減小保持模式的電壓下降率。采用兩級結構級聯(lián)， 全部輸出保持模式信號， 方便后級ADC應用。