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疊層放置MOSFET 的好處
為了克服分立方案的不足，TI 發(fā)明了Powerstack?封裝技術(shù)。不局限于兩個(gè)維度，Powerstack?封裝方案利用三個(gè)維度，把MOSFET 堆疊在一個(gè)創(chuàng)新的封裝里。和其他封裝技術(shù)類似，堆疊的主要好處是充分利用了3D 的集成度。堆疊技術(shù)減小了芯片的2D 面積，并節(jié)省了板空間。當(dāng)然，Powerstack?封裝除了節(jié)省空間，在其他方面也有一定的優(yōu)勢(shì)。
Powerstack?封裝的額外優(yōu)勢(shì)是增強(qiáng)了電性能和熱性能。如上所述，堆疊方式通過(guò)公共點(diǎn)的直接連接消除了一些電寄生參數(shù)。Powerstack?封裝中的銅片連接是一種非常有效的技術(shù)，它可以充分的利用封裝技術(shù)并提供非常低的阻抗。同時(shí)，TI 的NexFET?也很適用于堆疊技術(shù)，因?yàn)槠涞囟丝梢院头庋b的散熱片連在一起，更有效的把熱傳遞給印制板。Powerstack?充分利用了各種封裝技術(shù)和材料，可以實(shí)現(xiàn)更多的集成。
TI NexFET?同步BUCK 功率模塊是一個(gè)典型的堆疊封裝實(shí)例，它把兩個(gè)MOSFET 集成在一個(gè)小外形封裝內(nèi)。再在同樣的封裝內(nèi)加入一個(gè)控制器就構(gòu)成了完整的功率控制部分。
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