1.太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)及原理 ? 太陽(yáng)能電池如下圖所示。一般多選用在 p型硅襯底上擴(kuò)散 n型硅形成太陽(yáng)電池雛形。在硅片表面鍍有減反射膜用以減少對(duì)太陽(yáng)光的反射。 P型硅襯底的厚度約為 200~300 μ m，通過(guò)擴(kuò)散形成 p － n結(jié)，結(jié)深約為 0.5 μ m。太陽(yáng)能電池通過(guò)絲網(wǎng)印刷厚膜電子漿料，以及鏈?zhǔn)綘t燒結(jié)工藝制作上下電極。

　　太陽(yáng)能電池原理 ? 硅太陽(yáng)電池是利用光生伏特效應(yīng)（Photovoltaic Effect）的半導(dǎo)體器件。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)為p+ － p － n － n ＋結(jié)構(gòu)，如下圖所示，其中含有 p － n ， p＋－ p ， n＋－ n三個(gè)結(jié)，平衡狀態(tài)下，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子的電流相互補(bǔ)償，總電流等于零。當(dāng)太陽(yáng)光照射到由 p型和 n型兩種不同導(dǎo)電類型的同質(zhì)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的 p － n 結(jié)上時(shí)，在結(jié)的耗盡區(qū)，光能被半導(dǎo)體吸收，產(chǎn)生非平衡載流子——電子和空穴。受內(nèi)建電場(chǎng)作用將空穴推向 p區(qū)，電子推向 n區(qū)，在勢(shì)壘區(qū)的非平衡載流子亦在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，各向相反方向運(yùn)動(dòng)，離開勢(shì)壘區(qū)，結(jié)果使 p區(qū)電勢(shì)升高， n區(qū)電勢(shì)降低， p － n結(jié)兩端形成光生電動(dòng)勢(shì)，這就是 p － n結(jié)的光生伏特效應(yīng)。