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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>低溫多晶硅(LTPS)簡(jiǎn)介及其對(duì)比和優(yōu)勢(shì)的介紹

低溫多晶硅(LTPS)簡(jiǎn)介及其對(duì)比和優(yōu)勢(shì)的介紹

2017-10-01 | rar | 0.2 MB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

  低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon;LTPS,以下以 LTPS 代稱)是平板顯示器領(lǐng)域中的又一新技術(shù)。繼非晶硅(Amorphous-Silicon,以下以 a-Si 代稱)之后的下一代技術(shù)。

  傳統(tǒng)的非晶硅材料(a-Si)的電子遷移率只有0.5 cm2/V.S,而低溫多晶硅材料(LTPS)的電子遷移率可達(dá)50~200 cm2/V.S,因此與傳統(tǒng)的非晶硅薄膜電晶體液晶顯示器(a-Si TFT-LCD)相比,低溫多晶硅 TFT-LCD 具有更高解析度、反應(yīng)速度快、亮度高(開口率 apertureratio 高)等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)可以將周邊驅(qū)動(dòng)電路同時(shí)制作在玻璃基板上,達(dá)到在玻璃上集成系統(tǒng)(SOG)的目標(biāo),所以能夠節(jié)省空間和成本此外,LTPS 技術(shù)又是發(fā)展主動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光(AM-OLED)的技術(shù)平臺(tái),因此 LTPS 技術(shù)的發(fā)展受到了廣泛的重視。

  一般情況下低溫多晶硅的制程溫度應(yīng)低于攝氏 600℃,尤其對(duì) LTPS 區(qū)別于 a-Si 制造的制造程序“激光退火”(laser anneal)要求更是如此。與 a-Si 相比, LTPS 的電子移動(dòng)速度要比 a-Si 快100 倍,這個(gè)特點(diǎn)可以解釋兩個(gè)問題:首先,每個(gè) LTPS PANEL 都比 a-Si PANEL 反應(yīng)速度快;其次,LTPS PANEL 外觀尺寸都比 a-Si PANEL 小。下面是 LTPS 與 a-Si 相比所持有的顯著優(yōu)點(diǎn): 1、把驅(qū)動(dòng) IC 的外圍電路集成到面板基板上的可行性更強(qiáng); 2、反應(yīng)速度更快,外觀尺寸更小,聯(lián)結(jié)和組件更少; 3、面板系統(tǒng)設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單; 4、面板的穩(wěn)定性更強(qiáng); 5、解析度更高,

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