引言
　　總線電壓浪涌不僅對(duì)DC/DC轉(zhuǎn)換器構(gòu)成危險(xiǎn)，也對(duì)負(fù)載帶來(lái)威脅。傳統(tǒng)的過(guò)壓保護(hù)方案采用熔絲，其動(dòng)作速度和可靠性均未必足以保護(hù)諸如FPGA、ASIC和微處理器等負(fù)載。一種較好的解決方案是可準(zhǔn)確和快速地檢測(cè)過(guò)壓情況，隨后通過(guò)迅速斷接輸入電源并利用一條低阻抗通路釋放負(fù)載上的過(guò)電壓來(lái)做出響應(yīng)。借助LTM4641中的保護(hù)功能就可做到這一點(diǎn)。
　　電源和保護(hù)
　　LTM4641是一款4.5V至38V輸入、0.6V至6V輸出、10A降壓型μModule穩(wěn)壓器，其具有高級(jí)輸入和負(fù)載保護(hù)選項(xiàng)，包括：
　　（A）輸入保護(hù)
　　●具閉鎖門限的欠壓閉鎖、過(guò)壓停機(jī)
　　●N溝道過(guò)壓電源中斷MOSFET驅(qū)動(dòng)器
　　●能利用少量外部元件構(gòu)成浪涌抑制器
　　（B）負(fù)載保護(hù)
　　●穩(wěn)健、可復(fù)位的閉鎖過(guò)壓保護(hù)
　　●N溝道過(guò)壓放電功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
　　此外，針對(duì)下列故障的跳變檢測(cè)門限是可定制的：輸入欠壓、過(guò)熱、輸入過(guò)壓和輸出過(guò)壓。特定的故障情況發(fā)生時(shí)可設(shè)定為閉鎖或遲滯重啟響應(yīng)——或者停用。
　　輸出過(guò)壓和負(fù)載保護(hù)
　　電源和半導(dǎo)體控制IC行業(yè)中的常用輸出過(guò)壓保護(hù)方案是接通同步（底端）MOSFET.這種方法可在嚴(yán)重的負(fù)載電流下降過(guò)程中提供某些過(guò)壓保護(hù)，但在避免負(fù)載遭受諸如高壓側(cè)功率開(kāi)關(guān)MOSFET短路等真實(shí)的故障情況則并不是非常有效。如圖1所示，當(dāng)把一個(gè)輸出放電MOSFET（MCB）和一個(gè)輸入串聯(lián)MOSFET（MSP）配合起來(lái)使用時(shí)，LTM4641可提供同類最佳的輸出過(guò)壓保護(hù)。
　　
　　圖1：具輸入斷接和快速放電輸出過(guò)壓保護(hù)功能的LTM4641