資料介紹
在三相正弦波逆變器瞬中瞬態(tài)共同導(dǎo)通往往是被忽略的問(wèn)題,因?yàn)樗矐B(tài)過(guò)程很難捕捉。
以半橋變換器為例,其典型驅(qū)動(dòng)電路如下圖a)所示,理想的柵極電壓波形如下圖(b)所示。

但是,在實(shí)際測(cè)試中的柵極電壓波形則如下圖所示。

圖中,圓圈處的電壓尖峰就是其中一個(gè)MOSFET開(kāi)通時(shí),引起處于關(guān)閉狀態(tài)的另一個(gè)MOSFET的柵極電壓尖峰。如果這個(gè)電壓尖峰超過(guò)MOSFET的導(dǎo)通閾值電壓(特別是在結(jié)溫較高時(shí),閾值電壓下降到常溫的2/3),原處于關(guān)斷的MOSFET將被觸發(fā)導(dǎo)通,就會(huì)產(chǎn)生橋臂的兩個(gè)MOSFET瞬態(tài)共同導(dǎo)通現(xiàn)象,即使僅導(dǎo)通數(shù)十納秒也很可能損壞MOSFET.由于使MOSFET損壞的時(shí)刻是隨機(jī)的,故通常很難找到故障的真正原因。
產(chǎn)生這種現(xiàn)象的根本原因是MOSFET漏極電壓迅速上升,并產(chǎn)生電容電流,通過(guò)MOS-FET的反向傳輸電容與輸入電容分壓,在MOSFET的柵一源極間產(chǎn)生電壓。
以半橋變換器為例,其典型驅(qū)動(dòng)電路如下圖a)所示,理想的柵極電壓波形如下圖(b)所示。

但是,在實(shí)際測(cè)試中的柵極電壓波形則如下圖所示。

圖中,圓圈處的電壓尖峰就是其中一個(gè)MOSFET開(kāi)通時(shí),引起處于關(guān)閉狀態(tài)的另一個(gè)MOSFET的柵極電壓尖峰。如果這個(gè)電壓尖峰超過(guò)MOSFET的導(dǎo)通閾值電壓(特別是在結(jié)溫較高時(shí),閾值電壓下降到常溫的2/3),原處于關(guān)斷的MOSFET將被觸發(fā)導(dǎo)通,就會(huì)產(chǎn)生橋臂的兩個(gè)MOSFET瞬態(tài)共同導(dǎo)通現(xiàn)象,即使僅導(dǎo)通數(shù)十納秒也很可能損壞MOSFET.由于使MOSFET損壞的時(shí)刻是隨機(jī)的,故通常很難找到故障的真正原因。
產(chǎn)生這種現(xiàn)象的根本原因是MOSFET漏極電壓迅速上升,并產(chǎn)生電容電流,通過(guò)MOS-FET的反向傳輸電容與輸入電容分壓,在MOSFET的柵一源極間產(chǎn)生電壓。
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