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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>電子電路中去耦電容與旁路電容的區(qū)別介紹

      電子電路中去耦電容與旁路電容的區(qū)別介紹

      2017-12-07 | rar | 0.1 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　旁路電容不是理論概念，而是一個(gè)經(jīng)常使用的實(shí)用方法，在50 -- 60年代，這個(gè)詞也就有它特有的含義，現(xiàn)在已不多用。電子管或者晶體管是需要偏置的，就是決定工作點(diǎn)的直流供電條件。例如電子管的柵極相對于陰極往往要求加有負(fù)壓，為了在一個(gè)直流電源下工作，在陰極對地就串接一個(gè)電阻，利用板流形成陰極的對地正電位，而柵極直流接地，這種偏置技術(shù)叫做“自偏”，但是對（交流）信號而言，這同時(shí)又是一個(gè)負(fù)反饋，為了消除這個(gè)影響，就在這個(gè)電阻上并聯(lián)一個(gè)足夠大的點(diǎn)容，這就叫旁路電容。后來也有的資料把它引申使用于類似情況。

      　　去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個(gè)作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數(shù)字電路中典型的去耦電容值是 0.1μF。這個(gè)電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF 的去耦電容有5μH 的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz 左右，也就是說，對于 10MHz 以下的噪聲有較好的去耦效果，對40MHz 以上的噪聲幾乎不起作用。1μF、10μF 的電容，并行共振頻率在20MHz 以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個(gè)蓄能電容，可選10μF 左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴(yán)格，可按 C=1/F，即10MHz 取0.1μF，100MHz 取 0.01μF。

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