隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用場(chǎng)合不斷拓寬。同時(shí)，對(duì)開(kāi)關(guān)電源的要求也不斷提高。高功率密度、小體積、低價(jià)格成為開(kāi)關(guān)電源行業(yè)的趨勢(shì)。在半導(dǎo)體技術(shù)迅猛發(fā)展的背景下，通過(guò)選用更加優(yōu)秀性能的開(kāi)關(guān)管，能夠在同樣的體積空間下輸出更高的功率，從而達(dá)到優(yōu)化開(kāi)關(guān)電源的功率的目的。對(duì)于控制回路而言，使用TL431來(lái)代替由分立的基準(zhǔn)電壓和運(yùn)放構(gòu)建的具有反饋功能控制回路，文中首先對(duì)TL431的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析，比較了TL431和由通用運(yùn)放搭建的反饋回路，然后對(duì)TL431的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置進(jìn)行分析和計(jì)算，最后計(jì)算了由TL431構(gòu)成的補(bǔ)償環(huán)路。 　　1.TL431的結(jié)構(gòu)與原理 　　1.1 內(nèi)部結(jié)構(gòu) 　　Texas Instrument公司開(kāi)發(fā)的TL431是一種穩(wěn)定性好、三端可調(diào)并聯(lián)穩(wěn)壓器，常用作可調(diào)壓的電壓基準(zhǔn)。其外部結(jié)構(gòu)包含陰極、陽(yáng)極和參考電壓三個(gè)引腳;內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示，在TL431的大部分應(yīng)用中，陽(yáng)極接地，陰極電流的一部分會(huì)流過(guò)結(jié)構(gòu)框圖左下的鏡像電流源。該電流在電阻上產(chǎn)生的壓降再加上三極管基極B與發(fā)射極E的壓降共同構(gòu)成2.5V的參考電壓。TL431的中間級(jí)結(jié)構(gòu)相當(dāng)于差分放大電路，輸出級(jí)為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，由此TL431具有內(nèi)部集成電壓基準(zhǔn)以及運(yùn)放電路的功能。 　　圖1 TL431內(nèi)部電路結(jié)構(gòu) 　　1.2 工作原理 　　根據(jù)其功能，TL431可以簡(jiǎn)化由內(nèi)部集成2.5V的基準(zhǔn)電壓、差分運(yùn)放和集電極開(kāi)路的三極管構(gòu)成。TL431的簡(jiǎn)化圖如圖2所示。當(dāng)參考電壓引腳上的電壓低于內(nèi)部基準(zhǔn)電壓2.5V時(shí)，運(yùn)放輸出為低電平，三極管關(guān)斷，忽略微小的漏電流，此時(shí)沒(méi)有電流流過(guò)TL431;當(dāng)參考電壓引腳上的電壓高于內(nèi)部基準(zhǔn)電壓時(shí)，運(yùn)放輸出為高電平，三極管導(dǎo)通從陰極抽取電流并迅速進(jìn)入飽和區(qū);當(dāng)參考電壓引腳上的電壓非常接近基準(zhǔn)電壓時(shí)，三極管才工作在放大區(qū)，從陰極抽取恒定的電流。通過(guò)分析可知，在開(kāi)關(guān)電源中分立的基準(zhǔn)電壓加運(yùn)放做反饋的結(jié)構(gòu)可以被TL431很好地替代。 　　圖2 TL431功能結(jié)構(gòu) 　　2.TL431在反饋回路中的應(yīng)用 　　2.1 由普通運(yùn)放和電壓基準(zhǔn)構(gòu)成的反饋回路一般原副邊隔離場(chǎng)合下的開(kāi)關(guān)電源，其功率級(jí)的隔離是通過(guò)變壓器來(lái)實(shí)現(xiàn)。反饋信號(hào)的隔離主要通過(guò)光耦來(lái)實(shí)現(xiàn)。運(yùn)放和電壓基準(zhǔn)以及光耦構(gòu)成的反饋回路，如圖3所示。 　　圖3 運(yùn)放和電壓基準(zhǔn)構(gòu)成的反饋回路 　　輸出電壓(Vo)通過(guò)電阻分壓后，與參考電壓(Vref)比較。運(yùn)放輸出誤差電壓信號(hào)(Verr)，從而控制流過(guò)光耦LED的電流Ie。通過(guò)光耦在原邊產(chǎn)生電流Ic，由Ic在電阻Rc上產(chǎn)生反饋電壓VFB。反饋電壓再與控制芯片內(nèi)部的比較器進(jìn)行比較，產(chǎn)生控制開(kāi)關(guān)管的占空比信號(hào)，從而使輸出電壓在不同負(fù)載不同輸入電壓的情況下都能穩(wěn)定在設(shè)置好的電壓范圍內(nèi)。 　　2.2 由TL431構(gòu)成的反饋回路 　　TL431內(nèi)部集成了電壓基準(zhǔn)和差分運(yùn)放，可以在反饋回路中用TL431替代分立的電壓基準(zhǔn)和運(yùn)放。但是在實(shí)際運(yùn)用中，TL431跟分立的電壓基準(zhǔn)和運(yùn)放的工作原理并不完全相同，需要作進(jìn)一步的分析和研究。由TL431構(gòu)成的反饋回路如圖4所示。 　　圖4 TL431構(gòu)成的反饋回路 　　輸出電壓通過(guò)電阻分壓連接到TL431的電壓基準(zhǔn)引腳，當(dāng)TL431電壓基準(zhǔn)引腳電壓非常接近2.5V時(shí)，其內(nèi)部的三級(jí)管工作在線性區(qū)，并從副邊的輔助電源VCC抽取一個(gè)恒定的電流Ie。流過(guò)發(fā)光二極管的電流Ie會(huì)在光敏三級(jí)管上感應(yīng)出與Ie 　　成比例的電流Ic。 　　在工程中用光耦的電流傳輸比(CTR)來(lái)定義該比值： 　　原邊的反饋電壓VFB： 　　其中，VDD是原邊的輔助電源電壓，副邊TL431的陰極電壓： 　　其中，Vcc是副邊的輔助電源電壓，Vd是光耦發(fā)光二極管的導(dǎo)通壓降。 　　VFB是反饋環(huán)路通過(guò)光耦隔離之后傳遞到原邊控制芯片的誤差信號(hào)，該信號(hào)跟芯片內(nèi)部的斜坡信號(hào)(Vramp)進(jìn)行比較來(lái)輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比(du-tyc)cle)，使輸出電壓在不同輸人和負(fù)載條件下能夠穩(wěn)壓，如圖5所示。 　　圖5 反饋誤差信號(hào)和占空比 　　如果開(kāi)關(guān)電源的輸出電壓(Vo)需要增大時(shí)，相應(yīng)的就需要增大驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比，從而反饋的誤差信號(hào)(VFB)需要相應(yīng)的增大，此時(shí)副邊流過(guò)光耦發(fā)光二極管的電流Ie需要相應(yīng)的減小。 　　可以看出，副邊反饋電流Ie跟輸出電壓密切相關(guān)。若使開(kāi)關(guān)電源能夠穩(wěn)定工作，需對(duì)TL431反饋的靜態(tài)工作點(diǎn)進(jìn)行計(jì)算和合理設(shè)置。 　　3.TL431反饋的靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算和設(shè)置 　　TL431直流等效模型可以等效為一個(gè)電壓控制電壓源，如圖6所示。 　　圖6 TL431直流等效模型 　　計(jì)算TL431的開(kāi)環(huán)電壓增益，代人反饋環(huán)路中與發(fā)光二極管串聯(lián)的電阻Rled。 　　其中，gm是TL431的跨導(dǎo)。 　　通過(guò)Slmetrix仿真計(jì)算出TL431的Ref電壓與陰極電流關(guān)系，如圖7所示。 　　圖7 TL431基準(zhǔn)電壓與陰極電流關(guān)系 　　從上圖可以看出，在陰極電流小于0.5mA時(shí)，TL431的跨導(dǎo)很小。在經(jīng)過(guò)陰極電流0.5mA的拐點(diǎn)之后，跨導(dǎo)gm值大概為4A/V。假設(shè)一般情況下，取Rled為0.5k。 　　將Rled和gm值代人式(5)，得到TL431開(kāi)環(huán)電壓增益Gain=66dB，此增益能夠保證控制系統(tǒng)的輸出電壓精度滿足工業(yè)系統(tǒng)的要求。因此在正常工作時(shí)，要保證TL431的陰極電流足夠大，一般情況下要求大于1mA。 　　但是在實(shí)際設(shè)計(jì)過(guò)程中，某些PWM控制芯片內(nèi)部比較器所需電流小于1mA，比如TI公司的LM5k系列控制芯片，該芯片的Comp引腳通過(guò)一個(gè)鏡像電流源把光耦電流映射到內(nèi)部，映射電流再通過(guò)內(nèi)部的參考電壓5V與5k上拉電阻產(chǎn)生誤差信號(hào)與比較器進(jìn)行比較產(chǎn)生占空比信號(hào)，其結(jié)構(gòu)如圖8所示。 　　圖8 LM5035芯片的COMP引腳及內(nèi)部比較器 　　流過(guò)光耦的電流： 　　此時(shí)需要為TL431設(shè)置偏置電流，以保證在各種工作條件下都有足夠大于1mA的電流流入TL431陰極。普遍的做法是在光耦的發(fā)光二極管旁邊并一個(gè)阻值1k的電阻，如圖4中所示。光耦的發(fā)光二極管壓降大約為1V，所以與二極管并聯(lián)的1k電阻上會(huì)有1mA的偏置電流產(chǎn)生，以保證TL431有足夠的工作電流。同時(shí)，偏置電流也不能設(shè)置得過(guò)大，太大的偏置電流會(huì)增加TL431自身的損耗，也會(huì)影響到反饋環(huán)路靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置。 　　參考圖4，當(dāng)光耦電流Ic為零時(shí)，即： 　　這時(shí)，反饋電壓VFB達(dá)到最大值，相應(yīng)的控制芯片會(huì)輸出最大占空比。 　　當(dāng)光耦的三極管飽和時(shí)，光耦電流Ic達(dá)到最大值，此時(shí)控制芯片輸出最小占空比。