SRAM CY14B101Q1, CY14B101Q2, CY14B101Q3 1 Mbit (128 K × 8) Serial SPI nvSRAM
資料介紹
賽普拉斯 CY14B101Q1/CY14B101Q2/CY14B101Q3 將每個存
儲單元中具有非易失性組件的 1Mbit nvSRAM 與串行 SPI 接口結(jié)
合在一起。 該存儲器采用 “128K 字,每字 8 位 ” 的組織方式。 嵌
入式非易失性元件通過采用 QuantumTrap 技術(shù),打造出了世界
上最可靠的非易失性存儲器。 SRAM 能夠?qū)崿F(xiàn)無限次讀寫循環(huán),
而量子井單元則能夠提供高度可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲空間。 斷
電時,數(shù)據(jù)會從 SRAM 自動轉(zhuǎn)移到非易失性元件中 (“ 存儲 ” 操
作)(CY14B101Q1 除外)。 加電時,數(shù)據(jù)會從非易失性存儲器
回讀到 SRAM (“ 回讀 ” 操作)。 “ 存儲 ” 和 “ 回讀 ” 操作也可以
由用戶通過 SPI 指令觸發(fā)。
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