NAND Flash 是當(dāng)今市場上最主要的非易失大容量閃

　　存。1989 年， 東芝公司發(fā)布了 NAND Flash 結(jié)構(gòu)， 強(qiáng)調(diào)降低

　　每比特的成本及更高的性能， 并且像磁盤一樣可以通過接

　　口輕松升級(jí)。NAND 結(jié)構(gòu)能提供極高的存儲(chǔ)密度和容量（ 目

　　前單片最大容量可達(dá) 32G 位） ， 并且寫入和擦除的速度也

　　很快。NAND Flash 由于其具有非易失性、電可擦除性、可重

　　復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點(diǎn)， 而被廣泛應(yīng)用于 U 盤，

　　MP3 和數(shù)碼相機(jī)等嵌入式數(shù)字存儲(chǔ)設(shè)備當(dāng)中。

　　采用 Flash 介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問題是可靠性，

　　包括壽命、位交換和壞塊處理三個(gè)方面。NAND Flash 在每

　　個(gè)頁面（ page） 中提供了足夠的用于存儲(chǔ)校驗(yàn)碼的輔助存儲(chǔ)

　　區(qū)（ Spare Area） ， 對(duì)于主存儲(chǔ)區(qū)（ Main Area） 長度為 512 字節(jié)

　　的小頁面（ Small Page） ， 其輔助存儲(chǔ)區(qū)大小為 16 字節(jié); 對(duì)于

　　主存儲(chǔ)區(qū)（ Main Area） 為 2048 字節(jié)的大頁面（ Large Page） ，

　　其輔助存儲(chǔ)區(qū)大小為 64 字節(jié)。輔助存儲(chǔ)區(qū)可用來存放 ECC

　?。‥rror Checking & Correction）、ECC 有效標(biāo)志、壞塊標(biāo)志等。

　　所有這些決定了基于 NAND 的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要處理不

　　同于其它類型閃存的特有問題。