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單片機(jī)中的FLASH和EEPROM怎么操作?資料下載

2021-04-21 | pdf | 105.15KB | 次下載 | 2積分

資料介紹

作者:葉子 FLASH的全稱(chēng)是FLASH EEPROM,但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同 FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同,F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM低,因而適合用作程序存儲(chǔ)器,EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也行,但操作比EEPROM麻煩的多,所以更“人性化”的MCU設(shè)計(jì)會(huì)集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲(chǔ)器,而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有 FLASH,早期可電擦寫(xiě)型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu),現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。 至于那個(gè)“總工”說(shuō)的話(huà)如果不是張一刀記錯(cuò)了的話(huà),那是連基本概念都不對(duì),只能說(shuō)那個(gè)“總工”不但根本不懂芯片設(shè)計(jì),就連MCU系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)都沒(méi)掌握。在芯片的內(nèi)電路中,F(xiàn)LASH和EEPROM不僅電路不同,地址空間也不同,操作方法和指令自然也不同,不論馮諾伊曼結(jié)構(gòu)還是哈佛結(jié)構(gòu)都是這樣。技術(shù)上,程序存儲(chǔ)器和非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器都可以只用FALSH結(jié)構(gòu)或EEPROM結(jié)構(gòu),甚至可以用“變通”的技術(shù)手段在程序存儲(chǔ)區(qū)模擬“數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)”,但就算如此,概念上二者依然不同,這是基本常識(shí)問(wèn)題。 沒(méi)有嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓ぷ骶?,根本無(wú)法成為真正的技術(shù)高手。 EEPROM:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器,F(xiàn)lash的操作特性完全符合EEPROM的定義,屬EEPROM無(wú)疑,首款Flash推出時(shí)其數(shù)據(jù)手冊(cè)上也清楚的標(biāo)明是EEPROM,現(xiàn)在的多數(shù)Flash手冊(cè)上也是這么標(biāo)明的,二者的關(guān)系是“白馬”和“馬”。至于為什么業(yè)界要區(qū)分二者,主要的原因是 Flash EEPROM的操作方法和傳統(tǒng)EEPROM截然不同,次要的原因是為了語(yǔ)言的簡(jiǎn)練,非正式文件和口語(yǔ)中Flash EEPROM就簡(jiǎn)稱(chēng)為Flash,這里要強(qiáng)調(diào)的是白馬的“白”屬性而非其“馬”屬性以區(qū)別Flash和傳統(tǒng)EEPROM。 Flash的特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,同樣工藝和同樣晶元面積下可以得到更高容量且大數(shù)據(jù)量下的操作速度更快,但缺點(diǎn)是操作過(guò)程麻煩,特別是在小數(shù)據(jù)量反復(fù)重寫(xiě)時(shí),所以在MCU中Flash結(jié)構(gòu)適于不需頻繁改寫(xiě)的程序存儲(chǔ)器。 在很多應(yīng)用中,需要頻繁的改寫(xiě)某些小量數(shù)據(jù)且需掉電非易失,傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的EEPROM在此非常適合,所以很多MCU內(nèi)部設(shè)計(jì)了兩種EEPROM結(jié)構(gòu),F(xiàn)LASH的和傳統(tǒng)的以期獲得成本和功能的均衡,這極大的方便了使用者。隨著ISP、IAP的流行,特別是在程序存儲(chǔ)地址空間和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)地址空間重疊的MCU系中,現(xiàn)在越來(lái)越多的MCU生產(chǎn)商用支持IAP的程序存儲(chǔ)器來(lái)模擬EEPROM對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,這是低成本下實(shí)現(xiàn)非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的一種變通方法。為在商業(yè)宣傳上取得和雙EEPROM工藝的“等效”性,不少采用Flash程序存儲(chǔ)器“模擬”(注意,技術(shù)概念上并非真正的模擬)EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的廠家紛紛宣稱(chēng)其產(chǎn)品是帶EEPROM的,嚴(yán)格說(shuō),這是非常不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)?,但商人有商人的目的和方法,用Flash“模擬”EEPROM可以獲取更大商業(yè)利益,所以在事實(shí)上,技術(shù)概念混淆的始作俑者正是他們。 從成本上講,用Flash“模擬”EEPROM是合算的,反之不會(huì)有人干,那么那位“總工”和樓上某網(wǎng)友所說(shuō)的用EEPROM模擬Flash是怎么回事呢?這可能出在某些程序存儲(chǔ)空間和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間連續(xù)的MCU上。這類(lèi)MCU中特別是存儲(chǔ)容量不大的低端MCU依然采用EEPROM作為非易失存儲(chǔ)器,這在成本上反而比采用Flash和傳統(tǒng)EEPROM雙工藝的設(shè)計(jì)更低,但這種現(xiàn)象僅僅限于小容量前提下。因Flash工藝的流行,現(xiàn)在很多商人和不夠嚴(yán)謹(jǐn)?shù)募夹g(shù)人員將程序存儲(chǔ)器稱(chēng)為Flash,對(duì)于那些僅采用傳統(tǒng)EEPROM工藝的MCU而言,他們不求甚解,故而錯(cuò)誤的將EEPROM程序存儲(chǔ)器稱(chēng)為“ 模擬Flash”,根本的原因是他們未理解Flash只是一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)而非存儲(chǔ)器的用途,錯(cuò)誤的前提自然導(dǎo)致錯(cuò)誤的結(jié)論。商業(yè)上講,用EEPROM模擬 Flash是不會(huì)有人真去做的愚蠢行為,這違背商業(yè)追求最大利益的原則,技術(shù)上也不可行,而對(duì)于技術(shù)人員而言,尤其是IC業(yè)內(nèi)的“總工”如果再這么講那只能說(shuō)明他或她要么根本不了解相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié),要么非常不嚴(yán)謹(jǐn),這都不符合“總工”的身份。本質(zhì)的問(wèn)題是Flash是一種存儲(chǔ)器類(lèi)型而非MCU中的程序存儲(chǔ)器,即使MCU的程序存儲(chǔ)器用的是Flash,但其逆命題不成立。 在此寫(xiě)此文,一方面是要澄清技術(shù)概念,另一方面更是不想令錯(cuò)誤的說(shuō)法誤人子弟,搞技術(shù)也需要嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)精神。 28系列是最早的EEPROM,28F則是最早的Flash,甚至Flash一詞是Intel在1980S為推廣其28F系列起的“廣告名”,取其意“快”,僅此而已。當(dāng)年的Flash不比傳統(tǒng)EEPROM容量更大只是容量起點(diǎn)稍高。至于現(xiàn)在的手冊(cè)中有無(wú)EEPROM字樣并不重要,非要“較枝”的話(huà),看看內(nèi)容有無(wú)“電可擦除”存儲(chǔ)器的說(shuō)法,至少我隨手打開(kāi)SST的Flash手冊(cè)上都寫(xiě)的很清楚,不過(guò)這些根本就是無(wú)意義的皮毛,典型的白馬非馬論。 至于AVR的地址連續(xù)問(wèn)題是我隨手之誤,應(yīng)指68HC系列,但即使如此,就算我沒(méi)有用過(guò)包括AVR在內(nèi)的任何MCU也跟Flash的性質(zhì)毫無(wú)關(guān)系。 來(lái)源:電子發(fā)燒友 (直接點(diǎn)擊圖片可進(jìn)入調(diào)查頁(yè)面)(mbbeetchina)
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