資料介紹
ATmega8535是基于增強(qiáng)的AVR RISC結(jié)構(gòu)的低功耗8位CMOS微控制器。由于其先進(jìn)的
指令集以及單時(shí)鐘周期指令執(zhí)行時(shí)間,ATmega8535 的數(shù)據(jù)吞吐率高達(dá)1 MIPS/MHz,從
而可以緩減系統(tǒng)在功耗和處理速度之間的矛盾。(ALU) 相連接,使得一條指令可以在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)同時(shí)訪問(wèn)兩個(gè)獨(dú)立的寄存器。這種結(jié)
構(gòu)大大提高了代碼效率,并且具有比普通的CISC 微控制器最高至10 倍的數(shù)據(jù)吞吐率。
ATmega8535 有如下特點(diǎn):8K 字節(jié)的系統(tǒng)內(nèi)可編程Flash( 具有同時(shí)讀寫(xiě)的能力,即
RWW),512 字節(jié) EEPROM,512 字節(jié) SRAM,32 個(gè)通用I/O 口線(xiàn),32 個(gè)通用工作寄存
器,三個(gè)具有比較模式的靈活的定時(shí)器/ 計(jì)數(shù)器(T/C), 片內(nèi)/ 外中斷,可編程串行USART,
面向字節(jié)的兩線(xiàn)串行接口,10 位具有可選差分輸入級(jí)可編程增益(TQFP 封裝) 的ADC ,
具有片內(nèi)振蕩器的可編程看門(mén)狗定時(shí)器,一個(gè)SPI 串行端口,以及六個(gè)可以通過(guò)軟件進(jìn)行
選擇的省電模式。 工作于空閑模式時(shí)CPU 停止工作,而SRAM、T/C、 SPI 端口以及中
斷系統(tǒng)繼續(xù)工作;掉電模式時(shí)晶體振蕩器停止振蕩,所有功能除了中斷和硬件復(fù)位之外
都停止工作;在省電模式下,異步定時(shí)器繼續(xù)運(yùn)行,允許用戶(hù)保持一個(gè)時(shí)間基準(zhǔn),而其余
功能模塊處于休眠狀態(tài); ADC 噪聲抑制模式時(shí)終止CPU 和除了異步定時(shí)器與ADC 以外
所有I/O 模塊的工作,以降低ADC 轉(zhuǎn)換時(shí)的開(kāi)關(guān)噪聲; Standby 模式下只有晶體或諧振
振蕩器運(yùn)行,其余功能模塊處于休眠狀態(tài),使得器件只消耗極少的電流,同時(shí)具有快速啟
動(dòng)能力;擴(kuò)展Standby 模式下則允許振蕩器和異步定時(shí)器繼續(xù)工作。
本芯片是以Atmel 高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)生產(chǎn)的。片內(nèi)ISP Flash 允許程序存儲(chǔ)器通
過(guò)ISP 串行接口,或者通用編程器進(jìn)行編程,也可以通過(guò)運(yùn)行于AVR 內(nèi)核之中的引導(dǎo)程
序進(jìn)行編程。引導(dǎo)程序可以使用任意接口將應(yīng)用程序下載到應(yīng)用Flash存儲(chǔ)區(qū)(Application
Flash Memory)。在更新應(yīng)用Flash存儲(chǔ)區(qū)時(shí)引導(dǎo)Flash區(qū)(Boot Flash Memory)的程序繼續(xù)
運(yùn)行,實(shí)現(xiàn)了RWW 操作。 通過(guò)將8 位RISC CPU 與系統(tǒng)內(nèi)可編程的Flash 集成在一個(gè)
芯片內(nèi), ATmega8535 成為一個(gè)功能強(qiáng)大的單片機(jī),為許多嵌入式控制應(yīng)用提供了靈活
而低成本的解決方案。
ATmega8535 具有一整套的編程與系統(tǒng)開(kāi)發(fā)工具,包括:C 語(yǔ)言編譯器、宏匯編、 程序調(diào)
試器/ 軟件仿真器、仿真器及評(píng)估板。
指令集以及單時(shí)鐘周期指令執(zhí)行時(shí)間,ATmega8535 的數(shù)據(jù)吞吐率高達(dá)1 MIPS/MHz,從
而可以緩減系統(tǒng)在功耗和處理速度之間的矛盾。(ALU) 相連接,使得一條指令可以在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)同時(shí)訪問(wèn)兩個(gè)獨(dú)立的寄存器。這種結(jié)
構(gòu)大大提高了代碼效率,并且具有比普通的CISC 微控制器最高至10 倍的數(shù)據(jù)吞吐率。
ATmega8535 有如下特點(diǎn):8K 字節(jié)的系統(tǒng)內(nèi)可編程Flash( 具有同時(shí)讀寫(xiě)的能力,即
RWW),512 字節(jié) EEPROM,512 字節(jié) SRAM,32 個(gè)通用I/O 口線(xiàn),32 個(gè)通用工作寄存
器,三個(gè)具有比較模式的靈活的定時(shí)器/ 計(jì)數(shù)器(T/C), 片內(nèi)/ 外中斷,可編程串行USART,
面向字節(jié)的兩線(xiàn)串行接口,10 位具有可選差分輸入級(jí)可編程增益(TQFP 封裝) 的ADC ,
具有片內(nèi)振蕩器的可編程看門(mén)狗定時(shí)器,一個(gè)SPI 串行端口,以及六個(gè)可以通過(guò)軟件進(jìn)行
選擇的省電模式。 工作于空閑模式時(shí)CPU 停止工作,而SRAM、T/C、 SPI 端口以及中
斷系統(tǒng)繼續(xù)工作;掉電模式時(shí)晶體振蕩器停止振蕩,所有功能除了中斷和硬件復(fù)位之外
都停止工作;在省電模式下,異步定時(shí)器繼續(xù)運(yùn)行,允許用戶(hù)保持一個(gè)時(shí)間基準(zhǔn),而其余
功能模塊處于休眠狀態(tài); ADC 噪聲抑制模式時(shí)終止CPU 和除了異步定時(shí)器與ADC 以外
所有I/O 模塊的工作,以降低ADC 轉(zhuǎn)換時(shí)的開(kāi)關(guān)噪聲; Standby 模式下只有晶體或諧振
振蕩器運(yùn)行,其余功能模塊處于休眠狀態(tài),使得器件只消耗極少的電流,同時(shí)具有快速啟
動(dòng)能力;擴(kuò)展Standby 模式下則允許振蕩器和異步定時(shí)器繼續(xù)工作。
本芯片是以Atmel 高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)生產(chǎn)的。片內(nèi)ISP Flash 允許程序存儲(chǔ)器通
過(guò)ISP 串行接口,或者通用編程器進(jìn)行編程,也可以通過(guò)運(yùn)行于AVR 內(nèi)核之中的引導(dǎo)程
序進(jìn)行編程。引導(dǎo)程序可以使用任意接口將應(yīng)用程序下載到應(yīng)用Flash存儲(chǔ)區(qū)(Application
Flash Memory)。在更新應(yīng)用Flash存儲(chǔ)區(qū)時(shí)引導(dǎo)Flash區(qū)(Boot Flash Memory)的程序繼續(xù)
運(yùn)行,實(shí)現(xiàn)了RWW 操作。 通過(guò)將8 位RISC CPU 與系統(tǒng)內(nèi)可編程的Flash 集成在一個(gè)
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