數(shù)據(jù)表:1.8 v / 2.5 v / 3.3 v,LVCMOS峰值減少EMI時(shí)鐘發(fā)生器
資料介紹
P3MS650100H→斷電模式節(jié)省電能CLKIN銷沒有時(shí)鐘。 ModOUT在掉電模式下“低”。
P3MS650100H運(yùn)作超過-20°C + 85°C和有一個(gè)4針WDFN(1.2 mmx1.0mm)包。
為了獲得最佳的設(shè)備性能,以下準(zhǔn)則建議。
?專用VDD和GND平面。
?裝置必須從系統(tǒng)電源噪聲隔離。間接一只0.1F和一個(gè)2.2μF的去耦電容
安裝在盡可能靠近VDD引腳的董事會(huì)的組成部分方面。之間無需使用通孔
去耦電容和VDD引腳。PCB跟蹤到VDD引腳和地面通過應(yīng)盡可能短
可能的。所有的VDD引腳應(yīng)具有去耦電容。
?在最佳布局的所有組件都在同一側(cè)的板,減少通過其他信號(hào)層孔。
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