本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是物聯(lián)網(wǎng)和智能設(shè)備的EMI分析與設(shè)計(jì)技巧詳細(xì)資料說(shuō)明。

　　物聯(lián)網(wǎng)智能設(shè)備系統(tǒng)：供電系統(tǒng)和主平臺(tái)架構(gòu)與傳感器系統(tǒng)及語(yǔ)音顯示

　　輻射干擾共模與差模信號(hào)的磁場(chǎng)分布！

　　電子產(chǎn)品開關(guān)電源系統(tǒng)-輻射設(shè)計(jì)技巧

　　30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關(guān)斷引起

　　1 可以采用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻；

　　2 優(yōu)化RCD 緩沖吸收電路，吸收二極管并聯(lián)101-102的電容；

　　3 或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；

　　4 在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路電容《220pF；

　　5 在變壓器與MOSFET D之間加BEAD CORE；

　　6 在變壓器的輸入電壓引腳與輔助繞組GND加一個(gè)小電容推薦使用2.2nF；

　　7 優(yōu)化PCB=進(jìn)行LAYOUT 時(shí)大電解電容，變壓器，MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的??；

　　8 優(yōu)化PCB=變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。

　　50---200MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起

　　1 可以在輸出整流管上串磁珠；

　　2 調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；

　　3 可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗，如PIN腳處加BEAD-CORE；

　　4 也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（改變散熱器的接地點(diǎn)）。

　　5 變壓器增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。變壓器外殼用屏蔽材料銅箔環(huán)繞一圈構(gòu)成一回路加以屏蔽，銅箔形成閉環(huán)接初級(jí)地。200MHZ 以上開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。

　　關(guān)于輻射的一個(gè)重要基本概念是：電流導(dǎo)致輻射，而非電壓！

　　1.差模電流的磁場(chǎng)主要集中在差模電流構(gòu)成的回路面積之內(nèi)，而回路面積之外的磁力線會(huì)相互抵消；

　　2.共模電流的磁場(chǎng)，在回路面積之外，共模電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向相同，磁場(chǎng)強(qiáng)度反而加強(qiáng)！

　　設(shè)計(jì)技巧總結(jié)：

　　A.高頻電流環(huán)路面積S越大， EMI輻射越嚴(yán)重。減少輻射騷擾或提高射頻輻射抗干擾能力的最重要任務(wù)之一，就是想方設(shè)法減小高頻電流環(huán)路面積S！

　　B.環(huán)路電流頻率f越高，引起的EMI輻射越嚴(yán)重，電磁輻射場(chǎng)強(qiáng)隨電流頻率f的平方成正比增大。減少輻射騷擾或提高射頻輻射抗干擾能力的最重要途徑之二，就是想方設(shè)法減小騷擾源高頻電流頻率f，即減小騷擾電磁波的頻率；同時(shí)還可使用展頻技術(shù)！

　　C.數(shù)字電路工作需要的各種時(shí)鐘信號(hào)及高頻諧波及它們的組合，各種時(shí)鐘如CPU芯片工作時(shí)鐘、MPEG解碼器工作時(shí)鐘、視頻同步時(shí)鐘（27MHz，16.9344MHz 40.5MHz）等；
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