5G 的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施。

　　在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化開啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門，其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低，與LDMOS 相當(dāng)，遠(yuǎn)低于碳化硅基氮化鎵。與此同時(shí)，對(duì)于高功率射頻應(yīng)用，氮化鎵的用例已經(jīng)擴(kuò)展到分立晶體管以外。隨著氮化鎵向商用4G LTE 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的擴(kuò)展，逐漸實(shí)現(xiàn)了規(guī)模經(jīng)濟(jì)，為氮化鎵順利進(jìn)入MMIC 市場(chǎng)提供了有力支持，從而幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功能和設(shè)備集成，滿足新一代5G 系統(tǒng)的需求。

　　同時(shí)，隨著集成射頻、模擬和數(shù)字電路的射頻SoC 不斷發(fā)展，數(shù)據(jù)處理速度發(fā)生了質(zhì)的飛躍（涵蓋極寬頻率范圍），可利用先進(jìn)的直接采樣功能。在電路板層面上，這消除了與特定頻率計(jì)劃相關(guān)的離散數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的需求，從而可實(shí)現(xiàn)具備數(shù)字靈活性和更多IO 的小型系統(tǒng)。在網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)層面上，5G 數(shù)據(jù)吞吐量要求重新審視了負(fù)責(zé)卸載和路由5G 數(shù)據(jù)洪流的光學(xué)傳輸技術(shù)。通過全面了解從基站到網(wǎng)絡(luò)光纖的網(wǎng)絡(luò)（從射頻到光），系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可以更好地了解這些技術(shù)交叉出現(xiàn)時(shí)遇到的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。在這里，我們將評(píng)估用于集成多功能MMIC 的硅基氮化鎵的優(yōu)勢(shì)、射頻片上系統(tǒng)（SOC） 的優(yōu)勢(shì)以及影響5G 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展的先進(jìn)光通信技術(shù)架構(gòu)。